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1. (WO2000061841) SLICING OF SINGLE-CRYSTAL FILMS USING ION IMPLANTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/061841    International Application No.:    PCT/US2000/009442
Publication Date: 19.10.2000 International Filing Date: 07.04.2000
Chapter 2 Demand Filed:    12.10.2000    
IPC:
C30B 31/22 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Applicants: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK [US/US]; 116th Street and Broadway, New York, NY 10027 (US)
Inventors: LEVY, Miguel; (US).
OSGOOD, Richard, G., Jr.; (US).
RADOJEVIC, Antonije, M.; (US)
Agent: TANG, Henry; Baker Botts LLP, 30 Rockefeller Plaza, New York, NY 10112-0228 (US)
Priority Data:
09/289,169 09.04.1999 US
Title (EN) SLICING OF SINGLE-CRYSTAL FILMS USING ION IMPLANTATION
(FR) COUPE EN TRANCHE DE COUCHES MONOCRISTALLINES PAR IMPLANTATION IONIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for detaching a single-crystal film from an epilayer/substrate or bulk crystal structure. The method includes the steps of implanting ions into the crystal structure to form a damage layer within the crystal structure at an implantation depth below a top surface of the crystal structure, and chemically etching the damage layer to effect detachment of the single-crystal film from the crystal structure. The thin film may be detached by subjecting the crystal structure with the ion implanted damage layer to a rapid temperature increase without chemical etching. The method of the present invention is especially useful for detaching single-crystal metal oxide films from metal oxide crystal structures. Methods for enhancing the crystal slicing etch-rate are also disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de détacher une couche monocristalline d'une couche épitaxiale/substrat ou d'une structure cristalline non épitaxiée. Ce procédé consiste à implanter des ions dans la structure cristalline afin de former une couche endommagée à une profondeur d'implantation située en dessous d'une surface supérieure de la structure cristalline, puis à attaquer chimiquement cette couche endommagée, afin d'exécuter le détachement du film monocristallin à partir de la structure cristalline. Pour détacher le film mince, on peut soumettre la structure cristalline comprenant la couche endommagée à ions implantés à une rapide augmentation de température sans attaque chimique. Le procédé selon l'invention est notamment utile pour détacher des films d'oxydes métalliques monocristallins à partir de structures cristallines d'oxydes métalliques. L'invention concerne également des procédés permettant d'améliorer le taux d'attaque de la coupe en tranche du cristal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)