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1. (WO2000061840) METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/061840    International Application No.:    PCT/RU1999/000117
Publication Date: 19.10.2000 International Filing Date: 14.04.1999
Chapter 2 Demand Filed:    31.10.2000    
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/30 (2006.01)
Applicants: REMIZOV, Oleg Alexeevich [RU/RU]; (RU).
JAY, Yune Kwon [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: REMIZOV, Oleg Alexeevich; (RU).
JAY, Yune Kwon; (KR)
Agent: KORNIENKO, Elena Viktorovna; ul. Kargopolskaya, 12-60 Moscow, 127562 (RU)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abstract: front page image
(EN)The present invention pertains to techniques for producing semiconductor materials and can be used for growing silicon monocrystals according to the Chokhalsky method. This invention essentially relates to a method for producing monocrystalline silicon, wherein said method involves melting down the starting silicon in a crucible, introducing seeds and drawing the crystal from the melt on a rotating seed. The method is carried in an inert gas atmosphere, the rotation directions of the crucible and the crystal coincide and the ratio between the crucible and the crystal rotation speeds is defined by the formula (I) in which $g(v)¿cru? and $g(v)¿cry? are the rotation speeds of the crucible and of the crystal in rev./min respectively, k is a number from 0.1 to 0.5, D¿int? is the internal diameter of the quartz crucible in mm, d¿nom? is the nominal diameter of the monocrystal to be grown in mm, h¿m? is the initial depth of the melt in the crucible in mm, H¿h? is the length of the heating part of the heater in mm, and $g(g) is the positioning coefficient that takes into account the position of the crucible with the melt in the cavity of the heater as well as the structure of the thermal unit. This coefficient ranges from 0.5 to 3.0 and is previously determined in an experimental manner.
(FR)Cette invention se rapporte aux techniques de production de matériaux semiconducteurs, et peut être utilisée lorsque l'on fait croître des monocristaux de silicium selon le procédé de Tchokhalsky. Cette invention concerne essentiellement un procédé de production de silicium monocristallin, lequel consiste à faire fondre le silicium de départ dans un creuset, à introduire des germes, et à étirer le cristal à partir de la masse en fusion sur un germe en rotation. Le processus se déroule dans une atmosphère de gaz inerte, tandis que les sens de rotation du creuset et du cristal sont les mêmes et que le rapport entre les vitesses de rotation du creuset et du cristal est défini par la formule (I) où $g(v)¿cre? et $g(v)¿cri? représentent respectivement les vitesses de rotation du creuset et du cristal en t/min., k représente un nombre de 0,1 à 0,5, D¿int? représente le diamètre interne du creuset de quartz en mm, d¿nom? représente le diamètre nominal du monocristal à faire croître en mm, h¿mf? représente la profondeur initiale de la masse en fusion dans le creuset en mm, H¿ch? représente la longueur de la partie chauffante de l'unité de chauffage en mm, et $g(g) représente le coefficient de positionnement qui tient compte de la position du creuset contenant la masse en fusion dans la cavité de l'unité de chauffage, ainsi que de la structure de l'unité thermique. Ce coefficient, qui varie de 0,5 à 3,0, est préalablement déterminé de manière expérimentale.
Designated States: CN, FI, JP, KR, RU, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)