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1. (WO2000060710) SURFACE OPTICAL AMPLIFIER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060710    International Application No.:    PCT/JP1999/001689
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 31.03.1999
IPC:
H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: JAPAN as represented by DIRECTOR GENERAL OF AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0013 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMIZU, Mitsuaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMIZU, Mitsuaki; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Building, 4F 6-13, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SURFACE OPTICAL AMPLIFIER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) AMPLIFICATEUR OPTIQUE DE SURFACE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)An active layer (13) in an optical amplification function part (11) is interposed between an n-type semiconductor clad layer (12) and a p-type semiconductor multilayer reflecting mirror (14), the optical amplification function part (11) is stuck on a transparent substrate (21) with the n-type semiconductor clad layer in contact with the transparent substrate (21), split electrodes (16) are electrically connected to each other through a p-type cap layer (15), and an electrode (18) electrically connected to the n-type semiconductor clad layer is connected to a wiring conductor (20) provided on the transparent substrate. Amplification of a light beam which is single and uniform and has a large diameter and laser oscillation are possible.
(FR)Une couche active (13) dans une partie (11) à fonction d'amplification optique est interposée entre une couche de plaquage (12) à semi-conducteur de type n et un miroir réfléchissant (14) multicouche à semi-conducteur de type p, la partie (11) à fonction d'amplification optique est immobilisée sur un substrat transparent (21) avec la couche de plaquage à semi-conducteur de type n en contact avec le substrat transparent (21), les électrodes divisées (16) sont connectées électriquement les unes aux autres par une couche de recouvrement (15) de type p, et une électrode (18) connectée électriquement à la couche de plaquage à semi-conducteur de type n est connectée à un conducteur de connexion (20) disposée sur le substrat transparent. L'amplification d'un faisceau de lumière individuel et uniforme et ayant un gros diamètre ainsi qu'une oscillation laser sont possibles.
Designated States: RU, US.
European Patent Office (DE, FR, GB).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)