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1. (WO2000060675) OPTICAL SEMICONDUCTOR DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060675    International Application No.:    PCT/DE2000/000665
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 02.03.2000
IPC:
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
HEINEN, Jochen [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HEINEN, Jochen; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Priority Data:
199 14 716.7 31.03.1999 DE
Title (DE) OPTISCHE HALBLEITERDIODE
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DIODE
(FR) DIODE OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Optische Halbleiterdiode (1), bei der zwischen einem epitaktischen Schichtenstapel (20) auf einem Oberflächenabschnitt (11) eines Substrats (10) und diesem Oberflächenabschnitt zumindest eine flächig an den Oberflächenabschnitt grenzende und den Oberflächenabschnitt teilweise bedeckende und teilweise freilassende Zwischenschicht (4) angeordnet ist, die für einen in Richtung zum Oberflächenabschnitt strahlenden Teil (32) einer im Schichtenstapel erzeugten Strahlung (30) reflektierend wirkt.
(EN)The invention relates to an optical semiconductor diode (1) in which at least one intermediate layer (4) is positioned between an epitaxial layer stack (2) on a surface region (11) of a substrate (10) and said surface region. The intermediate layer contacts the surface region on its flat side such that it partly covers same and partly leaves it exposed and reflects a part (32) of a radiation (30) generated in the layer stack in the direction of the surface region.
(FR)Diode optique (1) à semi-conducteur, qui comporte au moins une couche intermédiaire (4) placée entre une pile (20) de couches épitaxiales située sur une zone superficielle (11) d'un substrat (10) et ladite zone superficielle. Ladite couche intermédiaire (4), qui est adjacente de manière plane à la zone superficielle, recouvre une partie de cette zone et laisse libre une autre partie de ladite zone. Cette couche intermédiaire possède une action réfléchissante pour une partie (32), rayonnant en direction de la zone superficielle, d'un rayonnement (30) produit à l'intérieur de la pile de couches.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)