WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000060666) MEMORY CELL UNIT AND METHOD OF PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060666    International Application No.:    PCT/DE2000/000906
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 24.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    28.08.2000    
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
WILLER, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REISINGER, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHLÖSSER, Till [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WILLER, Josef; (DE).
REISINGER, Hans; (DE).
SCHLÖSSER, Till; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE)
Agent: EPPING - HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Priority Data:
199 14 496.6 30.03.1999 DE
Title (DE) SPEICHERZELLENANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) MEMORY CELL UNIT AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) ENSEMBLE CELLULES MEMOIRES ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)An der ersten Oberfläche (01) des Substrats (S) wird ein MOS-Transistor einer Speicherzelle und eine damit verbundene Bitleitung (B) erzeugt. Dann wird eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche (02) des Substrats abgetragen. An der zweiten Oberfläche wird ein Kondensator der Speicherzelle erzeugt. Im Substrat wird ein Kontakt (K) erzeugt, der den Kondensator mit dem MOS-Transistor verbindet. Die Erfindung ermöglicht folglich viele Freiheiten für die Erzeugung der Kondensatoren, zum Beispiel hinsichtlich der Wahl von Materialien sowie der Wahl von Prozeßschritten. Die Prozeßsicherheit ist im Vergleich zum Stand der Technik erhöht.
(EN)According to the invention a MOS transistor of a memory cell and a bit line (B) connected to same are produced on the first surface (01) of the substrate (S). Next a second surface (02) of the substrate which is situated opposite the first surface is removed. A capacitor of the memory cell is generated on the second surface and a contact (K) is produced in the substrate which connects the capacitor to the MOS transistor. In this way the invention creates the scope for considerable liberty in the production of capacitors, for example as regards the choice of materials and process stages, while at the same time allowing for improved process safety in relation to the prior art.
(FR)Selon l'invention, un transistor MOS d'une cellule mémoire et une ligne de binaire (B) reliée à ce dernier sont produit sur la première surface (01) du substrat (S). Une deuxième surface (02) du substrat, opposée à la première surface est retirée. Un condensateur de la cellule mémoire est produit sur la deuxième surface. Un contact (K) reliant le condensateur au transistor MOS est produit dans le substrat. L'invention permet d'obtenir une grande liberté pour la production des condensateurs, par exemple pour le choix de matériaux ainsi que le choix des étapes de processus. Elle permet également d'accroître la sécurité de processus par rapport à la technique antérieure.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)