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1. (WO2000060649) CONTACT BUMP WITH SUPPORT METALLIZATION AND METHOD OF PRODUCING SAID SUPPORT METALLIZATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060649    International Application No.:    PCT/DE2000/000933
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 29.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    18.10.2000    
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Am Schlangenhorst 15-17, D-14641 Nauen (DE) (For All Designated States Except US).
ZAKEL, Elke [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ZAKEL, Elke; (DE)
Agent: TAPPE, Hartmut; Böck + Tappe Kollegen, Kantstraße 40, D-97074 Würzburg (DE)
Priority Data:
199 14 338.2 30.03.1999 DE
Title (DE) KONTAKTHÖCKER MIT TRÄGERMETALLISIERUNG SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER TRÄGERMETALLISIERUNG
(EN) CONTACT BUMP WITH SUPPORT METALLIZATION AND METHOD OF PRODUCING SAID SUPPORT METALLIZATION
(FR) BOSSAGE DE CONTACT AVEC METALLISATION SUPPORT, ET PROCEDE DE REALISATION D'UNE METALLISATION SUPPORT
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung eines Kontakthöckers auf einer Anschlußfläche (21) eines Halbleitersubstrats (20), bei dem zur Ausbildung einer Trägermetallisierung eine Bekeimung der Anschlußfläche durch elektrolytische Beaufschlagung der Anschlußfläche mit Zinkat erfolgt, derart, daß elektrolytisch auf der Trägermetallisierung abgeschiedene Zinkpartikel (24) als Keime für eine nachfolgend autokatalytisch auf der Anschlußfläche abgeschiedene Kontaktmetallisierung (28) dienen, wobei neben der elektrolytischen Beaufschlagung mit Zinkat eine elektrolytische Beaufschlagung der Anschlußfläche mit Palladium erfolgt, derart, daß außer Zinkpartikeln (24) auf der Anschlußfläche abgeschiedene Palladiumpartikel (25) als Keime für die nachfolgend autokatalytisch auf der Anschlußfläche abgeschiedene Kontaktmetallisierung dienen.
(EN)The invention relates to a method for producing a contact bump on a terminal area (21) of a semiconductor support (20). The aim of the invention is to provide said contact bump with a support metallization. To this end, nuclei are seeded on the terminal area by electrolytically depositing zincate thereon in such a manner that the zinc particles (24) that are electrolytically deposited on the support metallization serve as the nuclei for a subsequent contact metallization (28) that is autocatalytically deposited on the terminal area. In addition to the electrolytic deposition of zincate, palladium is electrolytically deposited on the terminal area in such a manner that, in addition to the zinc particles (24), the palladium particles (25) deposited on the terminal area serve as the nuclei for the subsequent contact metallization that is autocatalytically deposited on the terminal area.
(FR)Cette invention concerne un procédé de réalisation d'un bossage de contact sur une surface de raccordement (21) d'un substrat à semi-conducteur (20). Selon ce procédé, pour constituer une métallisation support, on réalise une germination de la surface de raccordement par électrolyse de la surface de raccordement avec du zincate, de sorte que les particules de zinc (24) déposées par électrolyse sur la métallisation support, servent de germes pour une métallisation de contact (28) déposée ultérieurement par autocatalyse sur la surface de raccordement. En plus de l'électrolyse au zincate, on réalise une électrolyse de la surface de raccordement avec du palladium, de sorte qu'en plus des particules de zinc (24), des particules de palladium (25) déposées sur la métallisation support, servent de germes pour la métallisation de contact déposée ultérieurement par autocatalyse sur la surface de raccordement.
Designated States: CA, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)