WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000060646) METHOD OF PROCESSING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR DISK AND PARTIALLY PROCESSED SEMICONDUCTOR DISK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060646    International Application No.:    PCT/DE2000/000938
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 24.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    25.09.2000    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
HÖPFNER, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÖPFNER, Joachim; (DE)
Agent: LAMBSDORFF & LANGE; Dingolfinger Strasse 6, 81673 München (DE)
Priority Data:
199 15 078.8 01.04.1999 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR PROZESSIERUNG EINER MONOKRISTALLINEN HALBLEITERSCHEIBE UND TEILWEISE PROZESSIERTE HALBLEITERSCHEIBE
(EN) METHOD OF PROCESSING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR DISK AND PARTIALLY PROCESSED SEMICONDUCTOR DISK
(FR) PROCEDE POUR TRAITER UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLINE ET PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR PARTIELLEMENT TRAITEE
Abstract: front page image
(DE)Ein Verfahren zur Prozessierung einer monokristallinen Si-Halbleiterscheibe (1) umfaßt einen Temperschritt bei einer Temperatur von über 550°C. Zuvor wird auf der Rückseite der Si-Halbleiterscheibe eine Schutzschicht (15) gegen das Eindringen von Metall- und/oder Seltenerdmetall-Substanzen während des Temperschritts in die Si-Halbleiterscheibe (1) aufgebracht.
(EN)The invention relates to a method for processing a monocrystalline silicon semiconductor disk (1), which method comprises an annealing step carried out at a temperature above 550 °C. Prior to annealing a protective layer (15) is applied to the rear side of the silicon semiconductor disk so as to prevent the penetration of metal and/or rare-earth metal substances into the silicon semiconductor disk (1) during annealing.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour traiter une plaquette (1) de semi-conducteur en silicium monocristalline. Ce procédé comprend une phase de recuit à une température supérieure à 550 °C. Auparavant, une couche de protection (15) est appliquée sur la face arrière de la plaquette de semi-conducteur en silicium afin d'empêcher la pénétration de métaux et/ou de métaux des terres rares dans la plaquette (1) de semi-conducteur en silicium, pendant la phase de recuit.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)