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1. (WO2000060143) ELECTROCHEMICAL ETCHING INSTALLATION AND METHOD FOR ETCHING A BODY TO BE ETCHED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/060143    International Application No.:    PCT/DE2000/000857
Publication Date: 12.10.2000 International Filing Date: 17.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    22.09.2000    
IPC:
C25F 7/00 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
ARTMAN, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FREY, Wilhelm [DE/US]; (US) (For US Only).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ARTMAN, Hans; (DE).
FREY, Wilhelm; (US).
LAERMER, Franz; (DE)
Priority Data:
199 14 905.4 01.04.1999 DE
Title (DE) ELEKTROCHEMISCHE ÄTZANLAGE UND VERFAHREN ZUR ÄTZUNG EINES ÄTZKÖRPERS
(EN) ELECTROCHEMICAL ETCHING INSTALLATION AND METHOD FOR ETCHING A BODY TO BE ETCHED
(FR) INSTALLATION DE GRAVURE ELECTROCHIMIQUE ET PROCEDE DE GRAVURE D'UN CORPS A GRAVER
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine elektrochemische Ätzzelle (1) zur Ätzung eines Ätzkörpers (15) vorgeschlagen, der zumindest oberflächlich aus einem Ätzmaterial besteht. Die Ätzzelle (1) weist mindestens eine mit einem Elektrolyten befüllte Kammer auf und ist mit einer ersten Elektrode (13), die zumindest oberflächlich ein erstes Elektrodenmaterial aufweist, und einer zweiten Elektrode (13'), die zumindest oberflächlich ein zweites Elektrodenmaterial aufweist, versehen. Der Ätzkörper (15) steht weiter zumindest bereichsweise mit dem Elektrolyten in Kontakt. Das erste Elektrodenmaterial und das zweite Elektrodenmaterial ist dabei derart gewählt, daß der Ätzkörper (15) nach der Ätzung durch die Elektrodenmaterialien nicht kontaminiert und/oder in seinen Eigenschaften nicht beeinträchtigt ist. Insbesondere sind die Elektrodenmaterialien die gleichen Materialien wie das Ätzmaterial. Weiterhin wird ein Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers (15) mit dieser Ätzzelle (1) vorgeschlagen, wobei die erste und/oder die zweite Elektrode (13, 13') als Opferelektrode eingesetzt werden. Die vorgeschlagene Ätzzelle eignet sich besonders zur Ätzung von Siliziumwafern in einer CMOS-kompatiblen Fertigungslinie.
(EN)The invention relates to an electrochemical etching cell (1) for etching a body (15) which is to be etched and which is comprised, at least superficially, of a material to be etched. Said etching cell (1) comprises at least one chamber filled with an electrolyte and is provided with a first electrode (13), said first electrode being comprised, at least superficially, of a first electrode material, as well as with a second electrode (13') that is comprised, at least superficially, of a second electrode material. In addition, the body (15) to be etched is brought, at least in areas, into contact with the electrolyte. The first electrode material and the second electrode material are selected such that, after etching, the body (15) to be etched is not contaminated and/or the properties thereof are not impaired by the electrode materials. The electrode materials are, in particular, comprised of the same materials as those of the etching material. The invention also relates to a method for etching a body (15) to be etched while using said etching cell (1), whereby the first and/or second electrode (13, 13') is/are used as sacrificial electrodes. The inventive etching cell is especially suited for etching silicon wafers in a CMOS-compatible production line.
(FR)L'invention concerne une cellule de gravure électrochimique (1) destinée à la gravure d'un corps à graver (15) constitué au moins en surfarce d'un matériau à graver. La cellule de gravure (1) présente au moins une chambre remplie d'un électrolyte et est dotée d'une première électrode (13) qui présente au moins en surface un premier matériau d'électrode, et d'une deuxième électrode (13') qui présente au moins en surface un deuxième matériau d'électrode. Le corps à graver (15) est en contact au moins par zones avec l'électrolyte. Le premier matériau d'électrode et le deuxième matériau d'électrode sont choisis de telle façon qu'après la gravure, le corps à graver (15) ne soit pas contaminé par les matériaux d'électrodes et/ou que ses propriétés ne soit pas altérées. Les matériaux d'électrodes sont les mêmes que le matériau à graver. L'invention concerne également un procédé de gravure d'un corps à graver (15) utilisant cette cellule de gravure (1). La première et/ou la deuxième électrode (13, 13') sont utilisées comme électrodes sacrificielles. La cellule de gravure proprosée est particulièrement adaptée à la gravure de tranches de silicium dans une ligne de production compatible CMOS.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)