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1. (WO2000059082) DEVICE FOR PRODUCING SHORT PULSES BY PASSIVE MODE LOCK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059082    International Application No.:    PCT/DE2000/000939
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 24.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    18.10.2000    
IPC:
G02F 1/35 (2006.01), H01S 3/098 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17, D-12489 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
GLAS, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEITNER, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GLAS, Peter; (DE).
LEITNER, Martin; (DE)
Priority Data:
199 15 129.6 25.03.1999 DE
199 54 109.4 02.11.1999 DE
Title (DE) VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG KURZER IMPULSE DURCH PASSIVE MODENKOPPLUNG
(EN) DEVICE FOR PRODUCING SHORT PULSES BY PASSIVE MODE LOCK
(FR) DISPOSITIF POUR PRODUIRE DE BREVES IMPULSIONS PAR COUPLAGE PASSIF DES MODES
Abstract: front page image
(DE)Bekannte Vorrichtungen zur Erzeugung sehr kurzer Laserimpulse, bei denen ein optisches Medium als Laserquelle zwischen zwei Reflektoren angeordnet ist, weisen einen Reflektor auf, der mit Halbleiterschichten versehen ist, die den auftreffenden Laserstrahl intensitätsabhängig absorbieren. Diese Vorrichtungen sind schwierig herzustellen und müssen aufwendig eingestellt werden. Bei dieser Vorrichtung besteht der optisch nichtlineare Reflektor (2) aus einer refraktionsgesteuerten Halbleiterschicht (7), die einen intensitätsabhängigen Brechungsindex aufweist, und einer hochreflektierenden Schicht (8). Im Strahlenverlauf ist zwischen der Laserquelle (3) und dem nichtlinearen Reflektor (2) eine Blende (4) und ein aus mindestens zwei Linsen (5, 6) bestehendes Linsensystem angeordnet. Der Abstand (a) zwischen der Linse (6) und der refraktionsgesteuerten Schicht (7) des nichtlinearen Reflektors (2) ist derart eingestellt, daß der sich einstellende Durchmesser (12) der Intensitätsverteilung für kleine Intensitäten größer ist als der Durchmesser der Blende (4). Die vorgeschlagene Vorrichtung ist einfach herzustellen, sie ist integrierbar und einfach an unterschiedliche Laser anpaßbar. Mit dieser Vorrichtung kann auch eine Kompensation refraktiver Effekte erfolgen, da die Brechungsindexinkremente für die refraktionsgesteuerte Halbleiterschicht (7) und die optischen Medien (3, 5, 6) umgekehrte Vorzeichen aufweisen.
(EN)Conventional devices for producing very short laser pulses in which an optical medium as the laser source is arranged between two reflectors are provided with a reflector that is provided with semiconductor layers that absorb the incident laser beam depending on the intensity thereof. The aim of the invention is to provide such a device that is easy to produce and does not require a complicated adjustment. To this end, the optical non-linear reflector (2) consists of a refraction-controlled semiconductor layer (7) that has an intensity-depending refractive index and a highly refractive layer (8). A diaphragm (4) and a lens system that consists of at least two lenses (5, 6) is arranged in the beam path between the laser source (3) and the non-linear reflector (2). The distance (a) between the lens (6) and the refraction-controlled layer (7) of the non-linear refractor (2) is adjusted in such a manner that the resulting diameter (12) of the intensity distribution is larger for small intensities than the diameter of the diaphragm (4). The inventive device is easy to produce, can be integrated and easily adapted to different lasers. The inventive device can be used to compensate refractive effects since the refractive index increments for the refraction-controlled semiconductor layer (7) and the optical media (3, 5, 6) have opposite algebraic signs.
(FR)Les dispositifs connus pour produire de très brèves impulsions laser comportent un milieu optique servant de source laser entre deux réflecteurs et présentent un réflecteur pourvu de couches de semiconducteur qui absorbent le faisceau laser incident en fonction de l'intensité. Ces dispositifs sont difficiles à réaliser et leur réglage est coûteux. Dans ces dispositifs, le réflecteur optique non linéaire (2) est constitué d'une couche de semiconducteur (7) commandée par réfraction et présentant un indice de réfraction qui est fonction de l'intensité, ainsi que d'une couche fortement réfléchissante (8). Sur la trajectoire du faisceau, on place un diaphragme (4) et un système de lentilles composé d'au moins deux lentilles (5, 6), entre la source laser (3) et le réflecteur non linéaire (2). La distance (a) entre la lentille (6) et la couche (7) commandée par réfraction du réflecteur non linéaire (2) est réglée de façon que le diamètre (12) de répartition des intensités apparaissant est plus grand pour de petites intensités que le diamètre du diaphragme (4). Le dispositif proposé est simple à réaliser, peut être intégré et facilement adapté à différents dispositifs laser. Etant donné que les incréments d'indice de réfraction de la couche (7) de semiconducteur commandée par réfraction et des milieux optiques (3, 5, 6) sont de signes contraires, ce dispositif permet également de compenser des effets dus à la réfraction.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)