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1. (WO2000059045) MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH PHOSPHIDE-PASSIVATED GERMANIUM SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059045    International Application No.:    PCT/US2000/007402
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 20.03.2000
IPC:
H01L 29/267 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: HUGHES ELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventors: ERMER, James, H.; (US).
CAI, Li; (US).
HADDAD, Moran; (US).
CAVICCHI, Bruce, T.; (US).
KARAM, Nasser, H.; (US)
Agent: DURAISWAMY, Vijayalakshmi, D.; Hughes Electronics Corporation, Building 001, MS A109, P.O. Box 956, El Segundo, CA 90245 (US)
Priority Data:
09/280,771 29.03.1999 US
Title (EN) MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH PHOSPHIDE-PASSIVATED GERMANIUM SUBSTRATE
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR MULTICOUCHE POURVUE D'UN SUBSTRAT PASSIVE AU PHOSPHURE
Abstract: front page image
(EN)A multilayer semiconductor structure includes a germanium substrate having a first surface. The germanium substrate has two regions, a bulk p-type germanium region, and a phosphorus-doped n-type germanium region adjacent to the first surface. A layer of a phosphide material overlies and contacts the first surface of the germanium substrate. A layer of gallium arsenide overlies and contacts the layer of the phosphide material, and electrical contacts may be added to form a solar cell. Additional photovoltaic junctions may be added to form multijunction solar cells. The solar cells may be assembled together to form solar panels.
(FR)L'invention concerne une structure de semi-conducteur multicouche comprenant un substrat de germanium présentant une première surface. Ce substrat de germanium comporte deux zones, une zone non épitaxiée de germanium de type P et une zone de germanium de type N dopée au phosphore adjacente à la première surface. Une couche de matière de phosphure surmonte et se trouve en contact avec la première surface du substrat de germanium. Une couche d'arséniure de gallium surmonte et se trouve en contact avec la couche de la matière de phosphure et des contacts électriques peuvent être ajoutés afin de former une pile solaire. Des jonctions photovoltaïques supplémentaires peuvent être ajoutées afin de former des piles solaires multijonction. Ces piles solaires peuvent être assemblées afin de former des panneaux solaires.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)