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Pub. No.:    WO/2000/059039    International Application No.:    PCT/JP2000/001736
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 22.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    01.09.2000    
C01G 1/02 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/347 (2006.01)
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHNO, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHNO, Hideo; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP)
Agent: HASHIZUME, Takeshi; 11-12, Ginza 4-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
11/82043 25.03.1999 JP
Abstract: front page image
(EN)A high quality thin film comparable to a bulk single crystal, and a semiconductor device with superior characteristics. A channel layer (11) is formed of a semiconductor, such as zinc oxide ZnO. The channel layer (11) is provided with a source (12), a drain (13), a gate (14) and a gate insulation layer (15), thus forming a FET. As for a substrate 16, a suitable one is selected according to the thin film material of the channel layer (11) and in consideration of compatibility between the lattice constants of the two materials. For example, if the base of the semiconductor of the channel layer is ZnO, then ScAlMgO¿4? or the like may be used for the substrate (16).
(FR)La présente invention concerne un film mince de haute qualité comparable à un monocristal plein, et un dispositif semi-conducteur présentant des propriétés supérieures. Une couche de canal (11) d'un semi-conducteur est formée, tel un oxyde de zinc ZnO. La couche de canal (11) est munie d'une source (12), d'un drain (13) d'une grille (14) et d'une couche d'isolation de grille (15), constituant ainsi un transistor à effet de champ. En ce qui concerne le substrat (16) on en choisit un qui soit approprié selon le matériau de film mince de la couche de canal (11) et tenant compte de la compatibilité entre les constantes des réseaux des deux matériaux. Par exemple, si la base du semi-conducteur de la couche de canal est ZnO, alors on peut utiliser le ScAlMgO¿4? ou similaire pour le substrat (16).
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, NL).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)