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1. (WO2000059026) METHOD AND PRESSURE JETTING MACHINE FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059026    International Application No.:    PCT/US2000/004355
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 22.02.2000
Chapter 2 Demand Filed:    22.08.2000    
IPC:
B24C 3/32 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventors: XIN, Yun-Biao; (US).
YOSHIMURA, Ichiro; (US).
ERK, Henry, F.; (US).
VOGELGESANG, Ralph, V.; (US).
HENSIEK, Stephen, W.; (US)
Agent: HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, 16th floor, One Metropolitan Square, St. Louis, MO 63102 (US)
Priority Data:
09/276,278 25.03.1999 US
Title (EN) METHOD AND PRESSURE JETTING MACHINE FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE ET MACHINE DE PULVERISATION SOUS PRESSION POUR TRAITER UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method for processing a semiconductor wafer sliced from a single-crystal ingot comprises subjecting the front and back surfaces of the wafer to a lapping operation to reduce the thickness of the wafer and to remove damage caused during slicing of the wafer. The wafer is then subjected to an etching operation to further reduce the thickness of the wafer and to further remove damage remaining after the lapping operation. The wafer is subsequently subjected to a double-side polishing operation to uniformly remove damage from the front and back surfaces caused by the lapping and etching operations, thereby improving the flatness of the wafer and leaving polished front and back surfaces. Finally, the back surface of the wafer is subjected to a back surface damaging operation in which damage is induced in the back surface of the wafer while the front surface is substantially protected against being damaged or roughened. A pressure jetting machine of the present invention includes a wafer holder that supports the wafer in the pressure jetting machine such that the back surface of the wafer is exposed to the jetted abrasive slurry while the front surface is supported by the holder in spaced relationship above a support surface of the machine to inhibit damaging engagement between the support surface and the front surface of the wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de tranche de semi-conducteur découpée à partir d'un lingot monocristallin, qui comporte les étapes consistant à : soumettre les surfaces antérieure et postérieure de la tranche à une opération de rodage afin de réduire l'épaisseur de la tranche et d'éliminer les dommages provoqués au cours du découpage de la tranche ; soumettre ensuite la tranche à une opération de gravure pour réduire davantage l'épaisseur de celle-ci et éliminer davantage les détériorations qui restent après l'opération de rodage ; soumettre ultérieurement la tranche à une opération de polissage sur les deux faces pour éliminer uniformément les détériorations des surfaces antérieure et postérieure provoquées par les opérations de rodage et de gravure, ce qui permet d'améliorer la planéité de la tranche et d'obtenir des surfaces antérieure et postérieure polies ; soumettre enfin la surface postérieure de la tranche à une opération de détérioration dans laquelle on provoque des détériorations dans la surface postérieure de la tranche, alors qu'on protège sensiblement la surface antérieure contre des détériorations ou un dépolissage. La machine de pulvérisation sous pression de la présente invention comporte un support de tranche qui maintient la tranche dans la machine de pulvérisation sous pression, de façon à exposer la surface postérieure de la tranche au jet de pâte abrasive alors que la surface antérieure est maintenue par le support de manière espacée au-dessus de la surface de support de la machine afin d'inhiber des détériorations dues au contact entre la surface de support et la surface antérieure de la tranche.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)