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1. (WO2000059021) ENHANCEMENT OF SILICON OXIDE ETCH RATE AND SUBSTRATE SELECTIVITY WITH XENON ADDITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059021    International Application No.:    PCT/US2000/006630
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 13.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    16.08.2000    
IPC:
H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIAL, INC. [US/US]; P.O. Box 450 A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: HUNG, Hoiman, Raymond; (US).
CAULFIELD, Joseph; (US).
SHAN, Hongqing; (US).
RICE, Michael; (US).
COLLINS, Kenneth, S.; (US).
CUI, Chunshi; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/276,376 25.03.1999 US
09/405,869 24.09.1999 US
Title (EN) ENHANCEMENT OF SILICON OXIDE ETCH RATE AND SUBSTRATE SELECTIVITY WITH XENON ADDITION
(FR) AMELIORATION DU TAUX D'ATTAQUE D'OXYDE DE SILICIUM ET DE LA SELECTIVITE DU SUBSTRAT PAR ADJONCTION DE XENON
Abstract: front page image
(EN)A plasma etching process, particularly useful for selectively etching oxide over a feature having a non-oxide composition, such as silicon nitride and especially when that feature has a corner that is prone to faceting during the oxide etch. A primary fluorine-containing gas, preferably hexafluorobutadiene (C¿4?F¿6?), is combined with a significantly larger amount of the diluent gas xenon (Xe) to enhance nitride selectivity without the occurrence of etch stop. The chemistry is also useful for etching oxides in a time oxide etch in which holes and corners have already been formed, for example counterbore vias in a dual damascene structure. In this case, the relative amount of xenon need not be so high, but xenon still reduces faceting of the oxide corners. The invention may be used with related heavy fluorocarbons and other fluorine-based etching gases. The plasma etching preferably includes striking the plasma with argon, switching to xenon and the fluorine-based gas but at reduced bias power to stabilize the plasma and then increasing the bias to a full etching level.
(FR)Cette invention concerne un procédé de gravure par plasma convenant tout spécialement pour l'attaque sélective d'oxydes sur un produit de composition non oxyde, tel qu'un nitrure de silicium, en particulier lorsque ce produit présente un coin exposé au facettage lors de l'attaque oxyde. On combine un gaz contenant principalement du fluor, de préférence de l'hexafluorobutadiène (C¿4?F¿6?), avec une quantité nettement plus importante du gaz xénon diluant pour accentuer la sélectivité du nitrure sans interruption du processus d'attaque. Ce procédé chimique convient également pour des attaques d'oxydes de longue durée dans laquelle des trous et des coins ont déjà été formés, par exemple des passages chambrés dans une structure damasquinée double. Dans ce cas, la quantité relative de xénon est certes moins élevée, mais suffit néanmoins à réduire le facettage des coins d'oxyde. Cette invention peut s'utiliser avec des fluorocarbures connexes lourds et autres gaz d'attaque. L'attaque plasmatique consiste de préférence à amorcer le plasma avec de l'argon, de passer ensuite à du xénon et au gaz à base de fluor, mais sous puissance réduite avec inversion de polarisation pour stabiliser le plasma, puis à augmenter l'inversion de polarisation jusqu'au niveau complet d'attaque.
Designated States: DE, JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)