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1. (WO2000059018) PLASMA PROCESSING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059018    International Application No.:    PCT/JP2000/002003
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 30.03.2000
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP).
SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 244-0917 (JP)
Inventors: KUBOTA, Kazuhiro; (JP).
KAWABATA, Atsushi; (JP).
TOZAWA, Shigeki; (JP).
ISHIKAWA, Hiraku; (JP).
NISHIBE, Haruhito; (JP)
Agent: SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office, Fuji Building, Room 323, 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
11/87743 30.03.1999 JP
Title (EN) PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A plasma processing system comprises a chamber capable of maintaining a vacuum inside, a discharge unit for evacuating the chamber, a gas supply unit for supplying process gas to the chamber, a lower electrode arranged in the chamber and adapted to support an object to be processed, and an upper electrode arranged opposite to the lower electrode. Outside the chamber is provided a high-frequency power supply, from which a power feeder extends to the lower electrode. Impedance adjustment means adjusts the impedance of a return current path that extends from the plasma of the process gas produced between the upper electrode and the lower electrode energized through the feeder by the high-frequency power supply back to the high-frequency power supply through the inner wall of the chamber.
(FR)Cette invention concerne un système de traitement au plasma qui comprend une chambre pouvant rester sous vide, une unité de décharge pour l'évacuation de la chambre, une unité d'alimentation de la chambre en gaz de traitement, une électrode inférieure disposée dans la chambre et conçue pour supporter un objet à traiter, et une électrode supérieure opposée à l'électrode inférieure. A l'extérieur de la chambre se trouve une source d'énergie haute fréquence dont le dispositif d'alimentation va jusqu'à l'électrode inférieur. Un dispositif de réglage permet de régler l'impédance sur un chemin de retour de courant allant du plasma du gaz de traitement produit entre les électrodes supérieure et inférieure via le dispositif d'alimentation en énergie haute fréquence, jusqu'à la source d'alimentation haute fréquence via la paroi interne de la chambre.
Designated States: KR.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)