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1. (WO2000059011) MEMORY CELL CAPACITOR PLATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/059011    International Application No.:    PCT/US2000/008638
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 30.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    21.10.2000    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6516 (US)
Inventors: KEIL, Douglas, L.; (US)
Agent: LEE, Michael; Beyer Weaver Thomas & Nguyen, LLP, P.O. Box 130, Mountain View, CA 94042-0130 (US)
Priority Data:
09/281,866 31.03.1999 US
Title (EN) MEMORY CELL CAPACITOR PLATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE PLAQUES DE CONDENSATEUR DE CELLULE DE MEMOIRE DANS DES STRUCTURES DE CONDENSATEUR DE CELLULE DE MEMOIRE
Abstract: front page image
(EN)An improved method of forming a memory cell capacitor plate is disclosed. The method of forming a memory cell capacitor plate comprises the steps of depositing a sacrificial layer and forming an opening in the sacrificial layer. Then an electrode material layer which includes a substantially conductive material that remains substantially conductive upon exposure to oxygen is deposited over a top surface of the sacrificial layer and at least partially filling the opening. The method continues with removing a portion of the electrode material layer down to at least about a level of the sacrificial layer's top surface to define a top surface of the memory cell capacitor plate, followed by removal of the sacrificial layer.
(FR)L'invention concerne un procédé amélioré de formation d'une plaque de condensateur de cellule de mémoire. Le procédé de formation d'une plaque de condensateur de cellule de mémoire consiste à déposer une couche sacrificielle et à former une ouverture dans cette couche sacrificielle. On dépose ensuite par-dessus la surface supérieure de la couche sacrificielle une couche de matière d'électrode contenant une matière sensiblement conductrice, qui demeure sensiblement conductrice après l'exposition à l'oxygène, et remplissant au moins en partie l'ouverture. Le stade suivant du procédé consiste à enlever une partie de la couche du matériau d'électrode, au moins jusqu'au niveau de la surface supérieure de la couche sacrificielle pour définir une surface supérieure de la plaque de condensateur de cellule de mémoire puis à enlever la couche sacrificielle.
Designated States: JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)