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1. (WO2000058995) APPARATUS FOR IMPROVING PLASMA DISTRIBUTION AND PERFORMANCE IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/058995    International Application No.:    PCT/US2000/007902
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 23.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    02.10.2000    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP).
TOKYO ELECTRON ARIZONA, INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 85233-8205 (US) (JP only)
Inventors: BRCKA, Jozef; (US)
Agent: SUMME, Kurt, A.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD WISE , TREGEAR & CO.; Commonwealth House, 1-19 New Oxford Street, London WC1A 1LW (GB)
Priority Data:
09/277,526 26.03.1999 US
Title (EN) APPARATUS FOR IMPROVING PLASMA DISTRIBUTION AND PERFORMANCE IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
(FR) APPAREIL UTILISE POUR AMELIORER LA REPARTITION ET L'EFFICACITE D'UN PLASMA INDUCTIF
Abstract: front page image
(EN)A processing system (12) for processing a substrate (18) with a plasma (28) comprises a processing chamber (13) defining a processing space (14) and including a substrate support (17) therein for supporting a substrate (18) in the processing space (14) and a gas inlet (20) for introducing a process gas into said processing space (14). A plasma source is operable for creating a plasma (28) in the processing space (14) from process gas introduced therein. The plasma source comprises a dielectric window (24a) which interfaces with the processing chamber (12) proximate the processing space (14) and an inductive element (10) positioned outside of the chamber (12) and proximate the dielectric window (24a). The inductive element (10) is operable for coupling electrical energy through the dielectric window (24a) and into the processing space (14) to create a plasma (28) therein and comprises a variety of alternative designs for providing a dense, uniform plasma.
(FR)La présente invention concerne un système de traitement (12) de substrat (18) avec un plasma (28), comprenant une chambre de traitement (13) définissant un espace de traitement (14) et comportant un support de substrat (17) pour supporter un substrat (18) dans l'espace de traitement (14). Une source de plasma peut être utilisée pour produire un plasma (28) dans l'espace de traitement (14) à partir du gaz de traitement introduit dans ce dernier. La source de plasma comprend une fenêtre diélectrique (24a) servant d'interface avec la chambre de traitement (12) à proximité de l'espace de traitement (14), et un élément inductif (10) placé hors de la chambre (12) et à proximité de la fenêtre diélectrique (24a). L'élément inductif (10) sert à faire passer l'énergie électrique par la fenêtre diélectrique (24a) et la faire entrer dans l'espace de traitement (14) afin de produire un plasma (28). Ledit élément inductif peut se présenter sous plusieurs variantes permettant de produire un plasma dense et uniforme.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)