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1. (WO2000057980) EFG CRYSTAL GROWTH APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/057980    International Application No.:    PCT/US2000/005491
Publication Date: 05.10.2000 International Filing Date: 02.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    13.10.2000    
IPC:
C30B 15/34 (2006.01)
Applicants: ASE AMERICAS, INC. [US/US]; Middlesex Technology Center, 4 Suburban Park Drive, Billerica, MA 01821 (US)
Inventors: CAO, Jeffrey, X.; (US).
GIANCOLA, Robert, M.; (US).
CAPRINI, Charles, G.; (US).
GARCIA, David; (US)
Agent: PANDISCIO, Nicholas, A.; Pandiscio & Pandiscio, 470 Totten Pond Road, Waltham, MA 02451-1914 (US)
Priority Data:
09/276,453 25.03.1999 US
Title (EN) EFG CRYSTAL GROWTH APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TIRAGE DE CRISTAL EFG
Abstract: front page image
(EN)A new EFG (Edge-defined Film-fed Growth) crucible/die (20A) and susceptor (40A) interface design is provided which (a) overcomes the tendency for silicon feed material to form a solid mass near the hub region and (b) prevent the crucible/die from fracturing its supporting susceptor during cooldown. The new design uses a material (quartz) not wet by silicon for the standoff ring (60A); locates the crucible/die with an annular projection (124) fitting into a counterbore (126), to allow thermal expansion of the crucible/die without laterally loading the susceptor; and thickens the inner side wall (36) to reduce cold spots.
(FR)L'invention a trait à un nouveau type d'interface de creuset/filière (20A) EFG (tirage de ruban par croissance) et de suscepteur (40A) lequel (a) résout le problème de tendance du matériau d'alimentation en silicium à former une masse solide près de la région de matriçage et (b) empêche que le creuset/filière ne rompe son suscepteur de support pendant le refroidissement. Le nouveau type utilise un matériau (le quartz) non humidifié par le silicium pour l'anneau de séparation (60A), il place le creuset/la filière à l'aide d'une partie saillante annulaire (124) s'adaptant dans un chambrage (126) pour permettre la dilatation thermique du creuset/de la filière sans charger latéralement le suscepteur, et il épaissit la paroi latérale intérieure (36) afin de réduire les points froids.
Designated States: AU, IN, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)