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1. WO2000041212 - GAS INJECTION SYSTEM FOR PLASMA PROCESSING

Publication Number WO/2000/041212
Publication Date 13.07.2000
International Application No. PCT/US1999/027917
International Filing Date 07.12.1999
Chapter 2 Demand Filed 27.06.2000
IPC
H01J 37/32 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes
CPC
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
Applicants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470, US (AllExceptUS)
  • NI, Tuqiang [CN/US]; US (UsOnly)
  • DEMOS, Alex [US/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • NI, Tuqiang; US
  • DEMOS, Alex; US
Agents
  • PETERSON, James, W.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, L.L.P. P.O. Box 1404 Alexandria, VA 22313-1404, US
Priority Data
09/223,27330.12.1998US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) GAS INJECTION SYSTEM FOR PLASMA PROCESSING
(FR) SYSTEME D'INJECTION DE GAZ POUR TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract
(EN)
A plasma processing system for plasma processing of substrates such as semiconductor wafers (13). The system includes a plasma processing chamber, a substrate support for supporting a substrate within the processing chamber, a dielectric member having an interior surface facing the substrate support, the dielectric member forming a wall of the processing chamber, a gas injection (22) fixed to, part of or removably mounted in an opening in the dielectric window (20), the gas injector including a plurality of gas outlets supplying process gas into the chamber, and an RF energy source such as a planar or non-planar spiral coil (18) which inductively couples RF energy through the dielectric member and into the chamber to energize the process gas into a plasma state. The arrangement permits modification of gas delivery arrangements to meet the needs of a particular processing regime. In addition, compared to consumable showerhead arrangements, the use of a removably mounted gas injector can be replaced more easily and economically.
(FR)
L'invention porte sur un système de traitement au plasma qui permet de traiter au plasma des substrats tels que des tranches (13) de semi-conducteurs. Ce système comprend une chambre de traitement, un support destiné à supporter le substrat à l'intérieur de la chambre de traitement, un élément diélectrique dont la surface interne est opposée au support du substrat, cet élément diélectrique formant une paroi de la chambre de traitement, un injecteur (22) de gaz fixé en partie ou monté amovible dans une ouverture de la fenêtre (20) diélectrique, l'injecteur de gaz comportant une pluralité d'orifices d'évacuation alimentant la chambre en gaz de traitement, et une source d'énergie RF telle qu'une bobine (18) en spirale plane ou non plane qui couple de manière inductive l'énergie RF par l'intermédiaire de l'élément diélectrique et pénètre dans la chambre pour exciter le gaz de traitement se transformant en plasma. L'agencement permet de modifier les dispositifs de distribution du gaz de façon à répondre aux besoins d'un régime de traitement spécifique. De plus, en comparaison avec des agencements de pomme de douche du commerce, un injecteur de gaz monté amovible peut se remplacer plus facilement et est plus économique.
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