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1. WO2000041209 - RASTER SHAPED BEAM, ELECTRON BEAM EXPOSURE STRATEGY USING A TWO DIMENSIONAL MULTIPIXEL FLASH FIELD

Publication Number WO/2000/041209
Publication Date 13.07.2000
International Application No. PCT/US1999/021994
International Filing Date 21.09.1999
IPC
H01J 37/302 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
H01J 37/317 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. ion implantation
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
H01J 2237/30488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
304Controlling tubes
30472Controlling the beam
30483Scanning
30488Raster scan
H01J 2237/31776
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
3175Lithography
31776Shaped beam
H01J 37/3026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
3023Programme control
3026Patterning strategy
H01J 37/3174
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Applicants
  • ETEC SYSTEMS, INC. [US/US]; 26460 Corporate Avenue Hayward, CA 94545, US
Inventors
  • RISHTON, Stephen, A.; US
  • VARNER, Jeffrey, K.; US
  • SAGLE, Allan, L.; US
  • VENEKLASEN, Lee, H.; US
  • WANG, Weidong; US
Agents
  • MACPHERSON, Alan, H. ; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel LLP Suite 700 25 Metro Drive San Jose, CA 95110, US
Priority Data
09/226,36106.01.1999US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) RASTER SHAPED BEAM, ELECTRON BEAM EXPOSURE STRATEGY USING A TWO DIMENSIONAL MULTIPIXEL FLASH FIELD
(FR) FAISCEAU A BALAYAGE TRAME, STRATEGIE D'EXPOSITION A UN FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS LAQUELLE UN CHAMP DE FLASH MULTIPIXEL BIDIMENSIONNEL EST UTILISE
Abstract
(EN)
An electron beam column (or other charged particle beam column) for lithography which exposes a surface to variable shapes in a raster scan. The beam column includes an electron (or ion) source (1204) that generates a charged particle beam, a transfer lens (1206), an upper aperture (1210), an upper deflector (1212), a lower aperture (1214), a lower deflector (1216), magnetic deflection coils (1218), and a beam objective lens (1220). The beam is first shaped as a square in cross section by the upper aperture. The upper deflector changes the direction of the square shaped beam to pass through a specific portion of an opening defined in the lower aperture to shape the beam as desired. The lower aperture defines either a cross shaped opening or four L-shaped openings arranged as corners of a square. The combination of upper and lower apertures enable definition of exterior and interior corners as well as horizontal and vertical edges of a pattern, so that only one flash need be exposed in any one location on the surface. The lower deflector reverses any change in direction imposed by the upper deflector and further applies a retrograde scan to counteract a movement of the beam by the magnetic coils in a raster scan. The retrograde scan ensures that an exposure exposes an intended target area.
(FR)
L'invention concerne une colonne à faisceau électronique (ou tout autre colonne à faisceau de particules chargées) pour la lithographie, qui expose une surface à des formes variables en balayage tramé. Ladite colonne comporte une source d'électrons (ou d'ions) (1204) qui génère un faisceau de particules chargées, une lentille de transfert (1206), une ouverture supérieure (1210), un déflecteur supérieur (1212), une ouverture inférieure (1214), un déflecteur inférieur (1216), des bobines de déviation magnétiques (1218) et un objectif (1220) pour faisceau. Le faisceau est d'abord mis en forme par l'ouverture supérieure, de sorte que sa section soit carrée. Le déflecteur supérieur modifie la direction du faisceau de forme carrée, de manière qu'il passe par une partie spécifique d'une ouverture définie dans l'ouverture inférieure et qu'il prenne la forme voulue. L'ouverture inférieure définit, soit une ouverture cruciforme, soit des ouvertures en L disposées comme les angles d'un carré. La combinaison des ouvertures supérieure et inférieure permet la définition des angles extérieurs et intérieurs ainsi que les bords horizontaux et verticaux d'un motif, de manière que seulement un flash soit nécessaire dans un endroit de la surface, quel qu'il soit, pour l'exposition. Le déflecteur inférieur inverse tout changement de direction imposé par le déflecteur supérieur et applique également un balayage rétrograde pour contrecarrer un mouvement du faisceau induit par les bobines magnétiques dans un balayage tramé. Le balayage rétrograde permet l'exposition d'une zone cible prédéterminée.
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