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1. WO2000041180 - VERTICALLY INTEGRATED MAGNETIC MEMORY

Publication Number WO/2000/041180
Publication Date 13.07.2000
International Application No. PCT/US1999/029518
International Filing Date 14.12.1999
Chapter 2 Demand Filed 18.07.2000
IPC
G11C 11/18 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
18using Hall-effect devices
CPC
G11C 11/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
18using Hall-effect devices
Applicants
  • HONEYWELL INC. [US/US]; 101 Columbia Road Morristown, NJ 07962, US
Inventors
  • PECZALSKI, Andrzej; US
  • BERNDT, Dale, F.; US
  • DETRY, James, F.; US
Agents
  • SHUDY, John, G., Jr.; Honeywell Inc. 101 Columbia Road Morristown, NJ 07962, US
  • CRISS, Roger, H.; Honeywell, Inc. 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245, US
Priority Data
09/224,36831.12.1998US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) VERTICALLY INTEGRATED MAGNETIC MEMORY
(FR) MEMOIRE MAGNETIQUE A INTEGRATION VERTICALE
Abstract
(EN)
A vertically integrated magnetic memory with Hall effect sensing or reading. It has a ferromagnetic structure with a nearly enclosed magnetic path, which is a vertical structure integrated on a chip. Each memory cell has a closed magnetic field that has high strength for a strong Hall effect. The magnet is a closed loop, robust reproducible magnet. A memory array of such cells uses little power in that only few cells need to draw the read current for a short time required to read information. A silicon or GaAs chip implementation of the memory is one embodiment, among others, wherein the field required to saturate the electrons can be achieved without excessive power.
(FR)
La présente invention concerne une mémoire magnétique à intégration verticale à lecture par effet Hall. Elle comporte une structure ferromagnétique renfermant presque complètement un chemin magnétique. Cette structure est intégrée verticalement sur un microcircuit. Chaque cellule de mémoire renferme un champ magnétique présentant une force élevée pour un effet Hall puissant. L'aimant est de type reproductible en boucle et cohérent. Une matrice mémoire de telles cellules ne consomme que peu de courant car il n'y a qu'un petit nombre de cellules qui viennent tirer du courant de lecture pendant le très court instant nécessaire à la lecture d'informations. L'une des réalisations, à base de microcircuits au silicium ou à l'arséniure de gallium, permet notamment de réaliser le champ magnétique de saturation électronique sans grande demande de puissance.
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