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1. WO2000040779 - METHOD, CHEMISTRY, AND APPARATUS FOR HIGH DEPOSITION RATE SOLDER ELECTROPLATING ON A MICROELECTRONIC WORKPIECE

Publication Number WO/2000/040779
Publication Date 13.07.2000
International Application No. PCT/US1999/015850
International Filing Date 12.07.1999
Chapter 2 Demand Filed 03.01.2000
IPC
C25D 7/12 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; JOINING WORKPIECES BY ELECTROLYSIS; APPARATUS THEREFOR
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
CPC
C25D 17/001
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
17Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
001Apparatus specially adapted for plating wafers, e.g. semiconductors, solar cells
C25D 3/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
30of tin
C25D 3/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
34of lead
C25D 7/123
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
123coated first with a seed layer, e.g. for filling vias
Applicants
  • SEMITOOL, INC. [US/US]; 655 West Reserve Drive Kalispell, MT 59901, US (AllExceptUS)
  • BATZ, Robert, W. [US/US]; US (UsOnly)
  • CONRADY, Scot [US/US]; US (UsOnly)
  • RITZDORF, Thomas, L. [US/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • BATZ, Robert, W.; US
  • CONRADY, Scot; US
  • RITZDORF, Thomas, L.; US
Agents
  • POLIT, Robert, B.; Rockey, Milnamow & Katz, Ltd. Two Prudential Plaza Suite 4700 Chicaco, IL 60430, US
Priority Data
60/114,45031.12.1998US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) METHOD, CHEMISTRY, AND APPARATUS FOR HIGH DEPOSITION RATE SOLDER ELECTROPLATING ON A MICROELECTRONIC WORKPIECE
(FR) PROCEDE, SOLUTION CHIMIQUE ET APPAREIL D'ELECTRODEPOSITION DE MATIERE DE SOUDURE A TAUX DE DEPOT ELEVE SUR UNE PIECE DE MICROELECTRONIQUE
Abstract
(EN)
The invention is directed to an electroplating apparatus for selectively depositing tin/lead solder bumps at a high deposition rate. The apparatus comprises a reactor bowl (35) containing an electroplating solution having free ions of tin and lead for plating onto a workpiece (25). A chemical delivery system is used to deliver the electroplating solution to the reactor bowl at a high flow rate. A workpiece support includes a contact assembly (85) for providing electroplating power to a surface at a side of the workpiece that is to be plated. The assembly contacts the workpiece at a large plurality of discrete flexure contacts (90) that are isolated from exposure to the electroplating solution. An anode (55) is spaced from the workpiece support within the reactor assembly (20) and is in contact with the electroplating solution. The electroplating solution comprises a concentration of a lead compound, a concentration of a tin compound, water and methane sulfonic acid.
(FR)
Appareil d'électrodéposition servant à déposer sélectivement des bossages de soudure en étain/plomb à un taux de dépôt élevé. Ledit appareil comporte une cuve (35) de réacteur contenant une solution d'électrodéposition renfermant des ions libres d'étain et de plomb pour le placage d'une pièce (25). Un système d'apport chimique est utilisé pour amener la solution d'électrodéposition dans la cuve de réacteur à un débit élevé. Un support de pièce comporte un ensemble de contacts (85) destiné à fournir du courant d'électrodéposition sur une surface d'un côté de la pièce à plaquer. L'ensemble se trouve en contact avec la pièce au niveau d'un grand nombre de contacts par flexion séparés (90) qui sont isolés de l'exposition à la solution d'électrodéposition. Une anode (55), qui est espacée du support de pièce dans l'ensemble réacteur (20), se trouve en contact avec la solution d'électrodéposition. Ladite solution contient une concentration d'un composé de plomb, une concentration d'un composé d'étain, de l'eau et de l'acide méthanesulfonique.
Also published as
US09386201
US09386213
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