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1. WO2000039802 - A MEMORY DECODER WITH ZERO STATIC POWER

Publication Number WO/2000/039802
Publication Date 06.07.2000
International Application No. PCT/EP1999/010220
International Filing Date 15.12.1999
IPC
G11C 7/06 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits
G11C 16/28 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
28using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
CPC
G11C 16/28
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
28using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
G11C 7/067
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
067Single-ended amplifiers
Applicants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL
Inventors
  • DAVIES, Thomas, J.; NL
Agents
  • DE HAAS, Laurens, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Priority Data
09/221,95028.12.1998US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) A MEMORY DECODER WITH ZERO STATIC POWER
(FR) DECODEUR DE MEMOIRE A PUISSANCE STATIQUE NULLE
Abstract
(EN)
A decoder for a memory cell which uses dynamic current to sense the conduction state of a memory cell. The decoder includes a sense circuit that is pre-charged from a voltage source. Upon disconnection of the sense circuit from the voltage source and connection of the memory cell to circuit ground via an access switch, the sense circuit is discharged if the memory cell is conductive and retains its charge if the memory cell is not conductive. The sense circuit outputs a signal indicative of the conduction state of the memory cell in dependence on whether the sense circuit is discharged or not. For low frequency operation, a weak feedback transistor maintains the sense circuit in the charged state after it is initially charged, and after connection to a memory cell if the memory cell is not conductive, to sustain the output signal and counteract the effects of the circuit leakage.
(FR)
Dans ce décodeur, destiné à une cellule mémoire, on utilise un courant dynamique pour détecter l'état de conduction de la cellule mémoire. Ce décodeur comprend un circuit de détection, préalablement chargé à partir d'une source de tension. Lorsque ce circuit de détection est déconnecté de la source de tension et que la cellule mémoire est connectée à la masse, via un commutateur d'accès, il est déchargé si la cellule mémoire est conductrice, et il conserve sa charge si cette cellule n'est pas conductrice. Le circuit de détection produit un signal indiquant l'état conducteur de la cellule mémoire, en fonction de son propre état de charge ou de décharge. Pour un fonctionnement basse fréquence, un transistor à faible rétroaction maintient le circuit de détection à l'état chargé, après charge préalable de ce circuit, et après connexion à une cellule mémoiresi cette dernière n'est pas conductrice, afin de soutenir le signal de sortie et contrecarrer les effets de fuite du circuit.
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