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1. (WO2000030183) TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/030183    International Application No.:    PCT/JP1999/006300
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 11.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    19.06.2000    
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01)
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHNO, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHNO, Hideo; (JP)
Agent: HASHIZUME, Takeshi; 11-12, Ginza 4-Chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
10/326889 17.11.1998 JP
Title (EN) TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TRANSISTOR ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A transistor using a transparent channel layer consisting of such material as zinc oxide and being transparent entirely or partially, wherein a channel layer (11) is formed of a transparent semiconductor such as zinc oxide ZnO, part or all of each of sources (12) and drains (13) or gates (14) use transparent electrodes, and the transparent electrodes use a transparent conductive material such as conductive ZnO formed by doping a group III element or the like. A gate insulating layer (15) uses a transparent insulating material such as insulating ZnO formed by doping a univalent element or a group V element. A substrate (16), if its transparency is desired, uses glass, sapphire, plastics or the like as a transparent material.
(FR)Dans ce transistor, on utilise une couche (1) transparente à microcanaux, composée d'un matériau tel que de l'oxyde de zinc, entièrement ou partiellement transparent, et que l'on forme à l'aide d'un semi-conducteur transparent, tel que de l'oxyde de zinc ZnO ; une partie ou la totalité des sources (12), drains (13) ou grilles (14), comprend des électrodes transparentes, pour lesquelles on a utilisé un matériau conducteur transparent, tel que du ZnO conducteur, formé par dopage d'un élément du groupe III ou analogue. Dans la couche d'isolation (15) de grille, on utilise un matériau isolant transparent tel que du ZnO isolant, formé par dopage d'un élément univalent ou d'un élément du groupe V, et on utilise en tant matériau pour le substrat (16), si l'on souhaite que celui-ci soit transparent, du verre, un saphir, une matière plastique, ou analogue.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, NL).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)