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1. (WO2000030181) FIELD EFFECT-CONTROLLED TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/030181    International Application No.:    PCT/DE1999/003674
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 18.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    09.06.2000    
IPC:
H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
WIDMANN, Helga [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WIEDER, Armin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WIEDER, Armin; (DE).
WIDMANN, Dietrich;
Agent: MULLER & HOFFMANN; Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Priority Data:
198 53 268.7 18.11.1998 DE
Title (DE) FELDEFFEKTGESTEUERTER TRANSISTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) FIELD EFFECT-CONTROLLED TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)In einem Halbleitersubstrat (2) ist ein aktives Gebiet vorgesehen, das ein Sourcegebiet, ein Kanalgebiet und ein Draingebiet aufweist, die jeweils an einer Hauptfäche (1) des Halbleitersubstrats (2) angrenzen. In der Hauptfläche des Halbleitersubstrats (2) ist mindestens ein Graben vorgesehen, der an das Kanalgebiet angrenzt und in dem Teil der Gateelektrode (8) angeordnet ist. Vorzugsweise weist die Gateelektrode zwei einander gegenüberliegende Teile (8) auf, die jeweils an das Kanalgebiet angrenzen. Die Herstellung des Transistors erfolgt mit Hilfe von Standardprozessschritten.
(EN)An active area with a source area, a channel area and a drain area is provided in a semiconductor substrate (2), each of these areas lying adjacent to a main surface (1) of the semiconductor substrate (2). At least one trench is provided in the main surface of the semiconductor substrate (2). This trench is adjacent to the channel area and is situated in the gate electrode part (8). The gate electrode preferably has two opposite parts (8) which are each adjacent to the channel area. The transistor is produced using standard process steps.
(FR)Un substrat semi-conducteur (2) possède une région active comprenant une région source, une région canal et une région drain respectivement adjacentes à une surface principale (1) du substrat semi-conducteur (2). La surface principale du substrat semi-conducteur (2) présente au moins une tranchée adjacente à la région canal et placée dans la partie de l'électrode de grille (8). De préférence, l'électrode de grille présente deux éléments opposés (8) qui sont respectivement adjacents à la région canal. La production du transistor s'effectue à l'aide d'opérations standard.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)