WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000030179) HIGH TEMPERATURE TRANSISTOR WITH REDUCED RISK OF ELECTROMIGRATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/030179    International Application No.:    PCT/US1999/026922
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 12.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    13.06.2000    
IPC:
H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventors: TSANG, Joseph, Cheung-Sang; (US).
MCKITTERICK, John, Burt; (US)
Agent: YEADON, Loria, B.; Honeywell International Inc. 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Priority Data:
09/192,155 13.11.1998 US
Title (EN) HIGH TEMPERATURE TRANSISTOR WITH REDUCED RISK OF ELECTROMIGRATION
(FR) TRANSISTOR A HAUTE TEMPERATURE PRESENTANT UN RISQUE REDUIT D'ELECTROMIGRATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device, in accordance with the present invention, includes a source region and a drain region disposed on opposite sides of a gate structure. A first conductive region is disposed over and is electrically connected to the source region and a second conductive region disposed over and electrically connecting to the drain region, the first and second conductive regions disposed on opposite sides of the gate structure. The first conductive region has a narrow end portion on a first side and gradually widens to a wide end portion on a second side. Also, the second conductive region has a narrow end portion on the second side and gradually widens to a wide end portion on the first side, the gradual widening for increasing cross sectional areas of the conductive regions in accordance with an increase in a magnitude of current flow. The current flow is generated by activation of the gate structure.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une région source et une région de drain disposées sur les côtés opposés d'une structure de grille. Une première région conductrice est située au-dessus de la région source à laquelle elle est connectée électriquement; une seconde région conductrice est située au-dessus de la région de drain à laquelle elle est connectée électriquement, la première et la seconde région conductrices étant placées sur les côtés opposés de la structure de grille. La première région conductrice, qui comporte une extrémité étroite sur un premier côté, s'élargit progressivement vers une extrémité large sur un second côté. La seconde région conductrice, qui comporte une extrémité étroite sur le second côté, s'élargit progressivement vers une extrémité large sur le premier côté, l'élargissement progressif permettant d'augmenter les sections des régions conductrices en fonction de l'augmentation de l'intensité du courant. Le courant est généré par activation de la structure de grille.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)