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1. (WO2000030158) GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR A CVD PROCESSING CHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/030158    International Application No.:    PCT/US1999/026172
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 04.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    10.06.2000    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: ISHIKAWA, Tetsuya; (US).
KRISHNARAJ, Padmanabhan; (US).
GAO, Feng; (US).
COLLINS, Alan, W.; (US).
PANG, Lily; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/191,364 12.11.1998 US
Title (EN) GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR A CVD PROCESSING CHAMBER
(FR) SYSTEME DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an apparatus for depositing a film on a substrate comprising a processing chamber, a substrate support member disposed within the chamber, a first gas inlet, a second gas inlet, a plasma generator and a gas exhaust. The first gas inlet provides a first gas at a first distance from an interior surface of the chamber, and the second gas inlet provides a second gas at a second distance that is closer than the first distance from the interior surface of the chamber. Thus, the second gas creates a higher partial pressure adjacent the interior surface of the chamber to significantly reduce deposition from the first gas onto the interior surface. The present invention also provides a method for depositing a film on a substrate comprising: providing a chemical vapor deposition chamber, introducing first gas through a first gas inlet at a first distance from an interior surface of the chamber, introducing a second gas through a second gas inlet at a second distance from the interior surface of the chamber, wherein the second gas creates a higher partial pressure adjacent the interior surface of the chamber to prevent deposition from the first gas on the interior surface and generating a plasma of the processing gases. Alternatively, the first gas is introduced at a different angle from the second gas with respect to a substrate surface.
(FR)La présente invention porte sur un appareil destiné à déposer un film sur un susbtrat. Cet appareil comprend une chambre de traitement, un élément supportant le substrat placé dans la chambre, une admission pour un premier gaz, une admission pour un second gaz, un générateur de plasma et une évacuation de gaz. L'admission du premier gaz envoie un premier gaz à une première distance d'une surface interne de la chambre, et l'admission pour le second gaz envoie un second gaz, à une seconde distance proche de la première, depuis une surface interne de la chambre. Le second gaz crée ainsi une pression partielle supérieure à côté de la surface interne de la chambre de façon à réduire considérablement le dépôt du premier gaz sur cette surface interne. La présente invention porte également sur un procédé visant à déposer un film sur un substrat et consistant à créer une chambre de dépôt chimique en phase vapeur, introduire un premier gaz par une admission prévue pour ce premier gaz, à une première distance d'une surface interne de la chambre, introduire un second gaz par une admission prévue pour ce second gaz à une seconde distance de la surface interne de la chambre, le second gaz créant une pression partielle supérieure à côté de la surface interne de la chambre de façon à empêcher le dépôt du premier gaz sur la surface interne et à générer un plasma de gaz de traitement. En variante, le premier gaz est introduit à un angle différent du second gaz par rapport à une surface du substrat.
Designated States: JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)