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1. (WO2000030145) LOW-POWER WIDE-BANDWIDTH KLYSTRON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/030145    International Application No.:    PCT/US1999/027126
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 16.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    19.05.2000    
IPC:
H01J 25/10 (2006.01)
Applicants: LITTON SYSTEMS, INC. [US/US]; 21240 Burbank Boulevard Woodland Hills, CA 91367-6675 (US)
Inventors: SYMONS, Robert, Spencer; (US)
Agent: BERLINER, Brian, M.; O'Melveny & Myers LLP 400 South Hope Street Los Angeles, CA 90071-2899 (US).
WINTER, BRANDL, FÜRNISS, HÜBNER, RÖSS, KAISER, POLTE; Alois-Steinecker-Strasse 22 D-85354 Freising (DE)
Priority Data:
09/193,644 16.11.1998 US
Title (EN) LOW-POWER WIDE-BANDWIDTH KLYSTRON
(FR) KLYSTRON A LARGE BANDE PASSANTE ET FAIBLE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A low-power wide-bandwidth klystron (10) comprises a cathode (12) having an electron emitting surface (14) capable of emitting an electron beam (22) and a collector spaced from said cathode (12) and designed to collect the electron beam (22) emitted from the cathode (12). An anode (24) is disposed between the cathode (12) and the collector in order to channel the electron beam (22) into a series of drift tubes (38, 44, 46, 48, 52) that define the electron beam (22) path between the anode (24) and the collector. The drift tubes (38, 44, 46, 48, 52) define gaps in which the input cavity (32) and output cavity (40) interact with the electron beam (22). The input cavity (32) velocity modulates the electron beam (22) by way of a radio frequency input signal and the output cavity (40) extracts the amplified radio frequency signal from the electron beam (22). The drift tubes (38, 44, 46, 48, 52) may define additional gaps (35, 37) between the input cavity (32) and output cavity (40) for intermediate cavities (42, 43) that would provide additional amplification. A voltage potential, positive with respect to the cathode (12) voltage potential, is applied to the anode (24) in order to draw the electron beam (22) from the emitting surface (14) of the cathode (12) and into the drift tubes (38, 44, 46, 48, 52). The anode (24) voltage potential is much larger than required for the desired output power. The output cavity (40) is overloaded by providing it with a load conductance that is at least twice that required for optimal klystron power output. A voltage potential, positive with respect to the cathode (12) voltage potential, is applied to the collector, but the voltage potential difference between the cathode (12) and the collector may be at most one half of a corresponding voltage potential difference between the cathode (12) and the anode (24).
(FR)L'invention concerne un klystron (10) à large bande passante et faible puissance. Ce klystron comprend une cathode (12) avec une surface (14) émettant des électrons pouvant émettre un faisceau d'électrons (22) et un collecteur espacé de cette cathode (12) et prévu pour collecter le faisceau d'électrons (22) émis par cette dernière (12). Une anode (24) est placée entre la cathode (12) et le collecteur afin de canaliser le faisceau d'électrons (22) dans une série de tubes de glissement (38, 44, 46, 48, 52) qui définissent la trajectoire du faisceau d'électrons (22) entre l'anode (24) et le collecteur. Les tubes de glissement (38, 44, 46, 48, 52) définissent des espaces dans lesquels la cavité d'entrée (32) et la cavité de sortie (40) interagissent avec le faisceau d'électrons (22). La vitesse de la cavité d'entrée (32) module le faisceau d'électrons (22) à l'aide d'un signal d'entrée de fréquence radio et la cavité de sortie (40) extrait le signal de fréquence radio amplifié à partir du faisceau d'électrons (22). Les tubes de glissement (38, 44, 46, 48, 52) peuvent définir des espaces supplémentaires entre la cavité d'entrée (32) et la cavité de sortie (40) pour des cavités intermédiaires (42, 43) qui assureraient une amplification supplémentaire. Un potentiel de tension, positif par rapport au potentiel de tension de la cathode (12), est appliqué à l'anode (24) afin de tirer le faisceau d'électrons (22) à partir de la surface d'émission (14) de la cathode (12) pour le faire passer dans les tubes de glissement (38, 44, 46, 48, 52). Le potentiel de tension de l'anode (24) est largement supérieur à celui requis pour la puissance de sortie requise. La cavité de sortie (40) est surchargée en fournissant une conductance de charge qui est au moins égale à deux fois celle requise pour une sortie de puissance de klystron optimale. Un potentiel de tension, positif par rapport au potentiel de tension de cathode (12), est appliqué au collecteur, mais la différence de potentiel de tension entre la cathode (12) et le collecteur peut au moins être égale à la moitié d'une différence de potentiel de tension correspondante entre la cathode (12) et l'anode (24).
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)