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1. (WO2000029636) HIGH PURITY TANTALUM TARGETS FOR SPUTTERING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/029636    International Application No.:    PCT/US1999/026290
Publication Date: 25.05.2000 International Filing Date: 05.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    08.06.2000    
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: SUN, Binxi; (US).
CHIANG, Tony; (US).
PAVATE, Vikram; (US).
DING, Peijun; (US).
CHIN, Barry; (US).
SUNDARRAJAN, Arvind; (US).
HONG, Ilyoung, Richard; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/191,078 12.11.1998 US
Title (EN) HIGH PURITY TANTALUM TARGETS FOR SPUTTERING
(FR) COUCHES BARRIERES AU TANTALE AMELIOREES POUR LE CUIVRE UTILISANT DES CIBLES DE PULVERISATION CATHODIQUE DE PURETE ELEVEE
Abstract: front page image
(EN)Improved tantalum-containing barrier layers are obtained by sputter depositing tantalum and/or tantalum nitride from a target having a low contaminant level, i.e., a metallic contaminant content below about 30 ppm by weight; or a niobium contaminant content below about 50 ppm by weight, preferably below 10 ppm, a molybdenum content below about 10 ppm by weight, a gold contaminants below about 15 ppm by weight, and a tungsten content below about 10 ppm by weight. Medium time to failure of copper capacitors including these layers is increased over the use of conventional tantalum targets which have higher amounts of contaminants.
(FR)L'invention porte sur des couches barrières améliorées au tantale obtenues par pulvérisation cathodique de tantale et/ou de nitrure de tantale à partir d'une cible peu contaminante, c.-à-d. à teneur en contaminants inférieure à environ 300 ppm en poids pour les métaux, ou inférieure à environ 50 ppm en poids pour le niobium et de préférence à 10 ppm, ou inférieure à environ 10 ppm en poids pour le molybdène, ou inférieure à environ 15 ppm en poids pour l'or, ou inférieure à environ 10 ppm en poids pour le tungstène. Les condensateurs au cuivre comportant ces couches présentent un intervalle moyen entre défaillances accru par rapport aux cibles usuelles au tantale à teneur plus élevée en contaminants.
Designated States: DE, GB, JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)