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1. (WO2000028654) ELECTROSTATIC MAINTAINING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028654    International Application No.:    PCT/FR1999/002767
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 10.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    23.05.2000    
IPC:
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Applicants: SEMCO ENGINEERING S.A. [FR/FR]; 625, rue de la Croix Verte Parc Euromédecine F-34196 Montpellier cedex 5 (FR) (For All Designated States Except US).
PELLEGRIN, Yvon [FR/FR]; (FR) (For US Only).
HERNANDEZ, José [FR/FR]; (FR) (For US Only).
CLAUDE, Richard [FR/FR]; (FR) (For US Only).
HALE, William [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PELLEGRIN, Yvon; (FR).
HERNANDEZ, José; (FR).
CLAUDE, Richard; (FR).
HALE, William; (US)
Agent: RAVINA, Bernard; Ravina S.A. 24, boulevard Riquet Boîte postale 832 F-31080 Toulouse cedex 06 (FR)
Priority Data:
98/14161 10.11.1998 FR
Title (EN) ELECTROSTATIC MAINTAINING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MAINTIEN ELECTROSTATIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns an electrostatic maintaining device particularly designed for maintaining wafers made of conductor or semiconductor material such as silicon while they are being subjected to micromachining processes or any other type of treatment such as plasma treatment in a vacuum chamber for instance. The device consists of an electrically insulating surface beneath which are arranged at least two electrodes. The electrodes are powered by a direct current whereof the polarities are periodically inverted so as to release the accumulated static charges.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de maintien électrostatique particulièrement destiné au maintien de plaquettes de matériaux conducteurs ou semi-conducteurs tels que le silicium pendant qu'elles subissent des micro-usinages ou tout autre type de traitement comme des traitements au plasma dans une enceinte sous vide par exemple. A cet effet, le dispositif est composé d'une surface électriquement isolante sous laquelle sont disposées au moins deux électrodes. Les électrodes sont alimentées par un courant continu dont les polarités sont périodiquement inversées afin de libérer les charges électrostatiques accumulées.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)