1. WO2000028603 - TEXTURING OF GLASS BY SiO¿2? FILM

A thin film silicon solar cell is formed on a glass substrate (11) which has a texturing layer (32) applied comprising an SiO₂ film (33) mixed with texturing particles (34) having diameters in the order of 1-2 $g(m)m whereby a textured surface (39) is formed. The SiO₂ film is thinner than the average diameter of the texturing particles such that the quartz projects through the spin-on glass. The dielectric layer in this case provides a barrier layer function, however, a separate anti-reflection coating (38) may optionally be employed, having an upper surface (35) which is conformal with the textured surface (39). As illustrated in the Figure, a silicon film (15) is then formed over the textured surface (35) of the anti-reflection coating (38). The silicon film has a thickness preferably in the range of 0.5-2 $g(m)m (i.e., of similar thickness to the dimensions of the texture features provided on the surface of the SiO₂ layer). Although the silicon film produced by this method loosely conforms to the textured surface over which it is formed, the opposite surfaces of the film are substantially non-parallel, at least on a small scale such that light will generally traverse the silicon film at an angle to the silicon surface. More importantly, the light will more often than not strike the rear surface of the silicon film (upper surface, in the Figure) at a significant angle to the normal to the surface (36), such that for a significant number of incidences, total internal reflection will occur. The surface (36) may also be coated with a reflective material (40) (such as a rear metal contact) to assist in reflecting internal light striking this surface.

Cellule solaire à film mince de silicium qui est formée sur un substrat (11) en verre sur lequel est appliquée une couche de texturation (32) comportant un film de SiO₂ (33) mélangé à des particules de texturation (34) ayant un diamètre de l'ordre de 1-2 $g(m)m, ce qui permet d'obtenir une surface texturée (39). Le film de SiO₂ est plus mince que le diamètre moyen des particules de texturation, de sorte que le quartz fait saillie à travers la couche diélectrique de SiO₂. La couche diélectrique constitue en l'occurrence une couche barrière, mais un revêtement antireflet séparé (38) peut éventuellement être employé, ledit revêtement ayant une surface supérieure (35) qui épouse la forme de la surface texturée (39). Comme l'illustre la figure, un film de silicium (15) est ensuite formé sur la surface texturée (35) du revêtement antireflet (38). Le film de silicium possède de préférence une épaisseur de l'ordre de 0,5 à 2 $g(m)m (c'est-à-dire qu'il est d'une épaisseur similaire aux dimensions des caractéristiques de texture présente sur la surface de la couche de SiO₂). Bien que le film de silicium produit selon ledit procédé épouse de manière lâche la surface texturée sur laquelle il est formé, les surfaces opposées dudit film sont essentiellement non parallèles, au moins à une petite échelle, si bien que la lumière traversera généralement ledit film de silicium à un certain angle par rapport à la surface de silicium. Plus important encore, la lumière atteindra le plus souvent la surface arrière du film de silicium (surface supérieure, sur la figure) à un angle important par rapport à la perpendiculaire à la surface (36), de sorte que pour un nombre élevé d'incidences, une réflexion interne totale se produira. La surface (36) peut également être couverte d'une matière réfléchissante (40) (telle qu'un contact métallique arrière) pour contribuer à la réflexion de la lumière interne atteignant cette surface.