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1. (WO2000028586) COPPER CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS USING A FIXED ABRASIVE POLISHING PAD AND A COPPER LAYER CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SOLUTION SPECIFICALLY ADAPTED FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING WITH A FIXED ABRASIVE PAD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028586    International Application No.:    PCT/US1999/027034
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 10.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    09.06.2000    
IPC:
B24B 37/04 (2012.01), C09K 13/04 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83705-9632 (US)
Inventors: CHOPRA, Dinesh; (US)
Agent: MATKIN, Mark, S.; Suite 1300 West 601 First Avenue Spokane, WA 99201-3828 (US)
Priority Data:
09/189,896 10.11.1998 US
Title (EN) COPPER CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS USING A FIXED ABRASIVE POLISHING PAD AND A COPPER LAYER CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SOLUTION SPECIFICALLY ADAPTED FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING WITH A FIXED ABRASIVE PAD
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DU CUIVRE AU MOYEN D'UN TAPIS DE POLISSAGE ABRASIF FIXE ET D'UNE SOLUTION DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE POUR COUCHE DE CUIVRE DESTINEE SPECIFIQUEMENT AU POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE A L'AIDE D'UN TAPIS ABRASIF FIXE
Abstract: front page image
(EN)The invention comprises copper chemical-mechanical polishing processes using fixed abrasive polishing pads, and copper layer chemical-mechanical polishing solutions specifically adapted for chemical-mechanical polishing with fixed abrasive pads. In one implementation, processes are described for pH's of 7.0 or greater. In one implementation, processes are described for pH's of 7.0 or less. In one implementation, a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad comprises a copper oxidizing component present at from about 1 % to 15 % by volume, a copper corrosion inhibitor present at from about 0.01 % to 2 % by weight, and a pH of less than or equal to 7.0. In one implementation, a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad comprises a copper oxidizing component present at from about 0.1 % to 15 % by volume, a copper complexing agent present at from about 0.1 % to 15 % by volume, and a pH of greater than or equal to 7.0.
(FR)L'invention concerne des procédés de polissage chimico-mécaniques du cuivre au moyen de tapis de polissage abrasifs fixes et de solutions de polissage chimico-mécaniques pour couches de cuivre destinées spécifiquement au polissage chimico-mécanique à l'aide de tapis abrasifs fixes. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, des procédés sont mis en oeuvre avec des pH supérieurs ou égaux à 7,0. Dans un autre mode de réalisation, des procédés sont mis en oeuvre avec des pH inférieurs ou égaux à 7,0. Selon un aspect particulier de l'invention, une solution de polissage chimico-mécanique pour couche de cuivre spécifiquement destinée au polissage chimico-mécanique à l'aide d'un tapis abrasif fixe comprend un composant d'oxydation du cuivre présent entre environ 1 % et 15 % en volume, un inhibiteur de corrosion du cuivre présent entre environ 0,01 % et 2 % en poids, avec un pH inférieur ou égal à 7,0. Un autre aspect de l'invention concerne une solution de polissage chimico-mécanique pour couche de cuivre spécifiquement destinée au polissage chimico-mécanique à l'aide d'un tapis abrasif fixe, qui comprend un composant d'oxydation du cuivre présent entre environ 0,1 % et 15 % en volume, un agent complexant du cuivre présent entre environ 0,1 % et 15 % en volume, avec un pH supérieur ou égal à 7,0.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)