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1. (WO2000028584) METHOD FOR PRODUCING A STRUCTURED LAYER CONTAINING METAL OXIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028584    International Application No.:    PCT/DE1998/003249
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 06.11.1998
Chapter 2 Demand Filed:    21.09.1999    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
HARTNER, Walter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HINTERMAIER, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHINDLER, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEINRICH, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HARTNER, Walter; (DE).
HINTERMAIER, Frank; (DE).
SCHINDLER, Günther; (DE).
WEINRICH, Volker; (DE)
Agent: ZIMMERMANN & PARTNER; Postfach 33 09 20, D-80069 München (DE)
Priority Data:
Title (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER STRUKTURIERTEN METALLOXIDHALTIGEN SCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A STRUCTURED LAYER CONTAINING METAL OXIDE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE STRUCTUREE CONTENANT UN OXYDE METALLIQUE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer SBT-Schicht vorgeschlagen. Bei diesem wird die SBT-Schicht nach ihrer Abscheidung (2) als noch amorphe Schicht strukturiert (4, 7) und erst nachfolgend einem Kristallisationsprozess (5) unterworfen. Die so hergestellten Schichten weisen eine relativ hohe Durchbruchsfestigkeit auf und zeigen an den Ätzkanten keine stöchiometrischen Abweichungen.
(EN)The invention relates to a method for producing an SBT layer. After being precipitated (2), the SBT layer is structured (4, 7) as a still amorphous layer. Only subsequently is it subjected to a crystallisation process (5). Layers produced in this manner have a relatively high degree of dielectric strength and have no stoichiometric deviations on the etched edges.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une couche strontinium-wismut-tantalate (SBT), selon lequel, après son dépôt (2), la couche SBT est structurée (4, 7) comme couche encore amorphe et ensuite seulement elle est soumise à un processus de cristallisation (5). Les couches ainsi produites présentent une rigidité diélectrique assez élevée et aucun écart stoechiométrique sur les bords gravés.-
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)