(DE) Bei einem Verfahren zum Untersuchen der Oberflächenstrukturen einer Probe (14) oder zum Modifizieren der Oberflächenstrukturen einer Probe (14) mittels eines Strahles (11), der auf die Oberflächenstruktur der Probe (14) auftritt, wird Gas zumindest im Auftreffbereich (13) des Strahls (11) auf die Oberflächenstruktur der Probe (14) diskontinuierlich, vorzugsweise gepulst zugeführt.
(EN) The invention relates to method for examining the surface structures of a sample (14) or for modifying the surface structures of a sample (14) using a beam (11) which strikes the surface structure of said sample (14). According to the inventive method, a gas is intermittently supplied, preferably in a pulsed mode, to the surface structure of the sample (14) at least in the area of incidence (13) of the beam (11).
(FR) L'invention concerne un procédé permettant d'examiner les structures superficielles d'un échantillon (14) ou de modifier les structures superficielles d'un échantillon (14) au moyen d'un faisceau (11) qui arrive sur la structure superficielle de l'échantillon (14) concerné. Selon ce procédé, du gaz est acheminé de préférence sous forme pulsée en discontinu sur la structure superficielle de l'échantillon (14).