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1. (WO2000028571) METHOD FOR EXAMINING AND/OR MODIFYING SURFACE STRUCTURES OF A SAMPLE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028571    International Application No.:    PCT/EP1999/008057
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 25.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    08.06.2000    
IPC:
H01J 37/02 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
BRÜNGER, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BRÜNGER, Wilhelm; (DE)
Agent: SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann & Stöckeler Postfach 71 08 67 D-81458 München (DE)
Priority Data:
198 51 622.3 09.11.1998 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM UNTERSUCHEN UND/ODER ZUM MODIFIZIEREN VON OBERFLÄCHENSTRUKTUREN EINER PROBE
(EN) METHOD FOR EXAMINING AND/OR MODIFYING SURFACE STRUCTURES OF A SAMPLE
(FR) PROCEDE POUR EXAMINER ET/OU MODIFIER DES STRUCTURES SUPERFICIELLES D'ECHANTILLONS
Abstract: front page image
(DE)Bei einem Verfahren zum Untersuchen der Oberflächenstrukturen einer Probe (14) oder zum Modifizieren der Oberflächenstrukturen einer Probe (14) mittels eines Strahles (11), der auf die Oberflächenstruktur der Probe (14) auftritt, wird Gas zumindest im Auftreffbereich (13) des Strahls (11) auf die Oberflächenstruktur der Probe (14) diskontinuierlich, vorzugsweise gepulst zugeführt.
(EN)The invention relates to method for examining the surface structures of a sample (14) or for modifying the surface structures of a sample (14) using a beam (11) which strikes the surface structure of said sample (14). According to the inventive method, a gas is intermittently supplied, preferably in a pulsed mode, to the surface structure of the sample (14) at least in the area of incidence (13) of the beam (11).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'examiner les structures superficielles d'un échantillon (14) ou de modifier les structures superficielles d'un échantillon (14) au moyen d'un faisceau (11) qui arrive sur la structure superficielle de l'échantillon (14) concerné. Selon ce procédé, du gaz est acheminé de préférence sous forme pulsée en discontinu sur la structure superficielle de l'échantillon (14).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)