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1. (WO2000028342) DISK DRIVE WITH THERMAL ASPERITY REDUCTION CIRCUITRY USING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028342    International Application No.:    PCT/GB1999/003594
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 01.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    17.05.2000    
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/012 (2006.01), G11B 5/09 (2006.01), G11B 5/31 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), G11B 19/04 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41 North Harbour Portsmouth, Hampshire PO6 3AU (GB) (MC only)
Inventors: GILL, Hardayal, Singh; (US)
Agent: LING, Christopher, John; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester, Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
09/189,321 09.11.1998 US
Title (EN) DISK DRIVE WITH THERMAL ASPERITY REDUCTION CIRCUITRY USING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSOR
(FR) LECTEUR DE DISQUE A CIRCUITS DE REDUCTION DE L'ASPERITE THERMIQUE UTILISANT UN DETECTEUR DE JONCTION MAGNETIQUE A EFFET TUNNEL
Abstract: front page image
(EN)A disk drive system having a magnetic tunnel junction (MTJ) sensor (600) having two MTJ stacks between first and second shields and a common electrode disposed between the two MTJ stacks. A first sense current (11) is provided to the first MTJ stack (602) by the first shield (S1, 640) and the common electrode and a second sense current (I2) is provided to the second MTJ stack (604) by the second shield (S2) and the common electrode. The magnetization directions (619, 629) of the pinned layers (618, 628) of the first and second MTJ stacks are fixed perpendicular to the ABS and antiparallel with respect to each other so that the magnetoresistive signal generated due to an external field from a disk by the first MTJ stack differs in phase by 180 $g(G) with respect to the magnetoresistive signal generated due to the same external field by the second MTJ stack. The voltages developed across the two MTJ stacks (voltages due to the presence of thermal asperities and voltages due to the presence of data fields) are applied to the inputs (732, 734) of a differential amplifier (730) for substantial elimination of the thermal asperity signal.
(FR)Cette invention a trait à un lecteur de disque pourvu d'un détecteur (600) de jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) ayant deux piles MTJ entre un premier et un second blindage et une électrode commune placée entre les deux piles MTJ. Un courant d'un premier sens (u) est fourni à la première pile MTJ (602) par le premier blindage (S1 640) et l'électrode commune et un courant d'un second sens (I2) à la seconde pile MTJ (604) par le second blindage (S2) et l'électrode commune. Les directions de magnétisation (619, 629) des couches à broche de connexion (618, 628) des deux piles MTJ sont fixées perpendiculairement à la surface porteuse coussin d'air (ABS) et antiparallèlement entre elles de sorte que le signal magnétorésistant dû un champ externe provenant du disque produit par la première pile MTJ diffère en phase de 180 $g(G) par rapport au signal magnétorésistant dû au même champ extérieur et produit par la seconde pile MTJ. Les tensions développées aux bornes des deux piles MTJ (tensions dues à la présence d'aspérités thermiques et tensions dues à la présence de champs de données) sont appliquées aux entrées (732, 734) d'un amplificateur différentiel (730) afin d'éliminer sensiblement le signal d'aspérité thermique.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)