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1. (WO2000028116) GROWTH METHOD FOR A CRYSTALLINE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/028116    International Application No.:    PCT/EP1999/008573
Publication Date: 18.05.2000 International Filing Date: 09.11.1999
Chapter 2 Demand Filed:    11.04.2000    
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/22 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: BAYERISCHES ZENTRUM FÜR ANGEWANDTE ENERGIEFORSCHUNG E.V. (ZAE BAYERN) [DE/DE]; Am Weichselgarten 7 D-91058 Erlangen (DE) (For All Designated States Except US).
BRENDEL, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KUCHLER, Gregor [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ACKERMANN, Jörg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
AUER, Richard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BRENDEL, Rolf; (DE).
KUCHLER, Gregor; (DE).
ACKERMANN, Jörg; (DE).
AUER, Richard; (DE)
Agent: MANITZ, FINSTERWALD & PARTNER GBR; Postfach 22 16 11 D-80506 München (DE)
Priority Data:
198 51 873.0 10.11.1998 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM AUFWACHSEN EINER KRISTALLINEN STRUKTUR
(EN) GROWTH METHOD FOR A CRYSTALLINE STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE STRUCTURE CRISTALLINE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufwachsen einer kristallinen Struktur auf einem eine zumindest bereichsweise kristalline Oberfläche (40) aufweisenden Substrat (16) unter Anwendung eines Quellenmaterials (18), das mindestens ein Element enthält, das auf die kristalline Oberfläche zur Bildung der kristallinen Struktur aufgebracht werden soll, bei dem das Quellenmaterial während des Aufwachsverfahrens im festen Zustand vorliegt und eine Flächenausdehnung aufweist, die zumindest im wesentlichen der des Substrats (16) entspricht und zu dieser parallel gegenüberliegend angeordnet ist, bei dem das Quellenmaterial (18) durch seine Porosität und/oder Oberflächenstrukturierung eine größere, wirksame Oberfläche als die des Substrats aufweist und bei dem zumindest das Quellenmaterial auf eine Temperatur unterhalb dessen Schmelzpunkt erhitzt wird.
(EN)The invention relates to a method for growing a crystalline structure on a substrate (16) that has an at least partially crystalline surface (40), using a source material (18) that contains at least one element that can be applied to the crystalline surface to from a crystalline structure, whereby the source material is provided in a solid state while the method is carried out and also has a surface extension that corresponds at least substantially to that of the substrate (16), being arranged in an opposite, parallel position thereto, whereby the source material (18) has a larger, effective surface on account of its porosity and/or surface structure than that of the substrate and whereby at least the source material is heated to a temperature below the melting point thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé pour faire croître une structure cristalline sur un substrat (16) présentant une surface au moins en partie cristalline (40), au moyen d'un matériau source (18) contenant au moins un élément à appliquer sur la surface cristalline pour former ladite structure cristalline. Selon l'invention, le matériau source est présent à l'état solide pendant la mise en oeuvre du procédé de croissance, et présente une étendue au moins équivalente à celle du substrat (16), opposée et parallèle à cette dernière. Le matériau source (18) présente, en raison de sa porosité et/ou de sa structure superficielle, une surface active plus importante que celle du substrat. Selon ce procédé, au moins le matériau source est chauffé à une température inférieure à son point de fusion.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)