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1. (WO2000026963) DIMPLED CONTACTS FOR METAL-TO-SEMICONDUCTOR CONNECTIONS, AND METHODS FOR FABRICATING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026963    International Application No.:    PCT/US1999/023943
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 13.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    26.05.2000    
IPC:
B81B 7/00 (2006.01), H01L 21/58 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INC. [US/US]; 101 Columbia Road Morristown, NJ 07962 (US)
Inventors: TURNER, Gary, B.; (US)
Agent: KAU, Albert, K.; Honeywell Inc. 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Priority Data:
09/182,387 29.10.1998 US
Title (EN) DIMPLED CONTACTS FOR METAL-TO-SEMICONDUCTOR CONNECTIONS, AND METHODS FOR FABRICATING SAME
(FR) CONTACTS A PROTUBERANCE POUR CONNEXIONS METAL/SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PROTUBERANCE
Abstract: front page image
(EN)An improved electrical connection between a metal surface and a semiconductor surface is provided by the deposition of a conductive dimple on the metal surface, whereby the conductive dimple is interposed between the metal surface and the semiconductor substrate. For example, a conductive trace deposited on an insulating substrate may have a conductive dimple formed thereon. A semiconductor substrate, such as a silicon substrate, may be bonded to the insulating substrate over at least a portion of the metal trace having the dimple thereon to form an electrical connection between the semiconductor substrate and the conductive trace.
(FR)Connexion électrique améliorée entre une surface métallique et une surface semi-conductrice, qui est obtenue par dépôt d'une protubérance conductrice sur la surface métallique, ladite protubérance étant interposée entre la surface métallique et le substrat semi-conducteur. Par exemple, une trace conductrice déposée sur un substrat isolant peut comporter une protubérance conductrice formée sur ladite trace. Un substrat semi-conducteur, tel qu'un substrat de silicium, peut être fixé au substrat isolant au-dessus d'au moins une partie de la trace métallique comportant ladite protubérance pour former une connexion électrique entre le substrat semi-conducteur et la trace conductrice.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)