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1. (WO2000026960) VACUUM PROCESSOR APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026960    International Application No.:    PCT/JP1999/002343
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 30.04.1999
Chapter 2 Demand Filed:    29.05.2000    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWAKAMI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWAKAMI, Satoru; (JP)
Agent: SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
10/324533 29.10.1998 JP
Title (EN) VACUUM PROCESSOR APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE
Abstract: front page image
(EN)A vacuum processor for semiconductor wafers comprises a cooling section (31) including refrigerant channel (32). Two intermediate dielectric plates (4A, 4B) are provided on top of the cooling section with an intervening O-ring (35), and a dielectric plate (5) is provided on the intermediate dielectric plates. The dielectric substance plates (4, 4B, 5) include buried electrodes (41, 51), and buried heaters (42, 52) in their surfaces. The electrostatic adsorption force joins intermediate dielectric plates (4A, 4B) and joins intermediate dielectric plates (4B, 5) so that little or no space may be formed in the junctions. Therefore, the heat transmission becomes uniform in the surface, and the backside of the intermediate dielectric plate (4A) with the O-ring (35) is kept as cool as 200 °C or lower. This keeps the O-ring from thermal modification and allows uniform, high-vacuum processing.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement sous vide pour tranches de semiconducteur. Ce dispositif comprend une section (31) de refroidissement comprenant un canal (32) réfrigérant. Deux plaques (4A, 4B) diélectriques intermédiaires sont installées sur la section de refroidissement avec un joint (35) torique intermédiaire, et une troisième plaque (5) diélectrique est installée au dessus des plaques diélectriques intermédiaires. Des électrodes (41, 51) et des corps (42, 52) de chauffe sont insérés dans la surface des plaques (4, 4B, 5) de substrat diélectrique. La force d'adsorption électrostatique provoque une jonction des plaques diélectriques intermédiaires (4A, 4B) et (4B, 5) de sorte à ne laisser qu'un espace réduit voire aucun espace au niveau des jonctions. La transmission thermique se fait ainsi de manière uniforme sur la surface de la plaque (4A) diélectrique intermédiaire, tandis que l'arrière comprenant le joint (35) torique est maintenu à une température ne dépassant pas 200 °C, ce qui permet d'éviter les modifications d'origine thermique du joint torique et d'appliquer un traitement uniforme sous vide poussé.
Designated States: IL, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)