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1. (WO2000026954) METHOD OF REDUCING STOP LAYER LOSS IN A PHOTORESIST STRIPPING PROCESS USING HYDROGEN AS A FLUORINE SCAVENGER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026954    International Application No.:    PCT/US1999/025213
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 26.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    16.05.2000    
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: JENQ, Stefan; (TW).
LIN, Jason; (TW).
OU-YANG, Eric; (TW).
TSAI, Gilbert; (TW)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/183,778 30.10.1998 US
Title (EN) METHOD OF REDUCING STOP LAYER LOSS IN A PHOTORESIST STRIPPING PROCESS USING HYDROGEN AS A FLUORINE SCAVENGER
(FR) PROCEDE DE REDUCTION DE PERTE DE COUCHE D'ARRET LORS DU DECAPAGE DE RESINE PHOTOSENSIBLE AU MOYEN D'HYDROGENE EN TANT QU'ACCEPTEUR DE FLUOR
Abstract: front page image
(EN)A method of stripping a photoresist layer (12) in a plasma derived from an etch gas for the photoresist (12) and a fluorine-containing polymer (14) includes a hydrogen-containing scavenging gas for fluorine in the resist strip etch plasma. The scavenger for fluorine reduces the amount of fluorine released from a fluorine-containing polymer (14) into the resist etch plasma during polymer dissociation in the photoresist stripping step, thereby providing a photoresist stripping mechanism with reduced stop layer loss.
(FR)L'invention concerne un procédé de décapage d'une couche de résine photosensible (12) dans un plasma obtenu à partir d'un gaz d'attaque destiné à la résine photosensible (12), et un polymère fluoré (14). Ce procédé comprend un gaz contenant de l'hydrogène accepteur de fluor situé dans le plasma d'attaque de la couche de résine photosensible. L'accepteur de fluor, situé dans le plasma de décapage, permet de réduire la quantité de fluor libéré par un polymère fluoré (14) au cours de la dissociation du polymère lors de l'étape du décapage de la résine photosensible. On obtient ainsi un mécanisme de décapage s'accompagnant d'une faible perte de la couche d'arrêt.
Designated States: JP.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)