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1. (WO2000026949) SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026949    International Application No.:    PCT/JP1999/005969
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 28.10.1999
IPC:
C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
OSE, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSE, Hiroki; (JP)
Agent: SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Building 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 460-0008 (JP)
Priority Data:
10/326033 29.10.1998 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer comprising a semiconductor monocrystalline substrate having a diameter of 300 mm or more and a semiconductor thin film formed on a major surface of the substrate and having a uniform resistivity and a method for producing such a semiconductor wafer are disclosed. Process gases are fed parallel in one direction onto a major surface of a rotating silicon monocrystalline substrate (12) through six inlet ports (18a, 18b, ..., 18f) provided in the direction of the width of a reaction vessel (10). H¿2?, gas, a semiconductor source gas and a dopant gas are fed over the central and intermediate portions of the major surface of the substrate (12) through the inner inlet ports (18a, 18b) and the middle inlet ports (18c, 18d); the H¿2? gas and the semiconductor source gas, not the dopant gas, are fed over the peripheral portions through the outer inlet ports (18e, 18f). However, fraction of the dopant gas is fed to the peripheral portion because of the autodoping phenomena. The concentration of dopant gas supplied to the entire major surface of the substrate (12) is substantially uniform in terms of the total amount of dopant gas supplied in the two ways.
(FR)L'invention concerne une plaquette à semi-conducteur qui comprend un substrat semi-conducteur monocristallin, ayant un diamètre égal ou supérieur à 300 mm; et une couche mince semi-conductrice, formée sur une surface principale du substrat et ayant une résistivité uniforme. Elle concerne également un procédé permettant de produire ladite plaquette. Les gaz de traitement sont amenés parallèlement, dans une seule direction, par six orifices d'entrée (18a, 18b... 18f) disposés longitudinalement à l'intérieur de la cuve à réaction (10), sur une surface majeure d'un substrat (12) de silicium monocristallin tournant. De l'hydrogène gazeux, un gaz source de semi-conducteur et un gaz dopant sont amenés sur les parties centrale et intermédiaire de la surface majeure du substrat (12) par les orifices d'entrée internes (18a, 18b) et les orifices d'entrée moyens (18c, 18d); tandis que l'hydrogène et le gaz source de semi-conducteur, mais pas le gaz dopant, sont amenés sur les parties périphériques par les orifices d'entrée externes (18e, 18f). Une fraction du gaz dopant arrive cependant sur la partie périphérique en raison du phénomène d'autodopage. La concentration de gaz dopant amenée à l'ensemble de la surface principale du substrat (12) est sensiblement uniforme en termes de quantité totale amenée par les deux voies.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)