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1. (WO2000026948) SEMICONDUCTOR WAFER AND VAPOR GROWTH APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026948    International Application No.:    PCT/JP1999/005968
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 28.10.1999
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
OSE, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSE, Hiroki; (JP)
Agent: SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Building 9-30, Sakae 2-chome Naka-ku Nagoya-shi Aichi 460-0008 (JP)
Priority Data:
10/326034 29.10.1998 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER AND VAPOR GROWTH APPARATUS
(FR) PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CRISTALLISATION EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer comprising a semiconductor monocrystalline substrate having a relatively low dopant concentration and a large diameter of 300 mm or more and a semiconductor thin film formed on a major surface of the substrate and having a uniform resistivity and including substantially no slip, and a vapor growth apparatus for producing such a semiconductor wafer. Dopant gases supplied through a common gas pipe (22a) serving as a main dopant gas pipe are introduced into a reaction vessel (10) from all the six inlet ports (18a, 18b, ..., 18f) provided in the direction of the width of the reaction vessel (10). Dopant gases supplied through first and second auxiliary pipes (22b, 22c) are additionally fed into the reaction vessel (10) from the inner inlet ports (18a, 18b) and the middle inlet ports (18c, 18d) serving as specific inlet ports.
(FR)L'invention concerne une plaquette à semi-conducteur qui comprend un substrat semi-conducteur monocristallin, ayant une concentration en dopant relativement faible et un diamètre égal ou supérieur à 300 mm; et une couche mince semi-conductrice formée sur une surface majeure du substrat, ayant une résistivité uniforme et ne présentant sensiblement pas de dislocation par glissement. Elle concerne également un dispositif de cristallisation en phase vapeur permettant de produire ladite plaquette. Les gaz dopants amenés par un tuyau de gaz commun (22a), tenant lieu de tuyau de gaz dopant principal, sont introduits dans une cuve à réaction (10) par six orifices d'entrée (18a, 18b... 18f) disposés longitudinalement à l'intérieur de ladite cuve. Les gaz dopants amenés par un premier et un second tuyau auxiliaire (22b, 22c) sont aussi amenés dans la cuve à réaction (10) par les orifices d'entrée internes (18a, 18b) et les orifices d'entrée moyens (18c, 18d), qui tiennent lieu d'orifices d'entrée spécifiques.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)