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1. (WO2000026923) ELECTRICALLY CONDUCTIVE AND OPTICALLY TRANSPARENT MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ITS USE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026923    International Application No.:    PCT/DE1999/003424
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 26.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    16.05.2000    
IPC:
C09J 9/02 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
BUSMANN, Hans-Gerd [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BUSMANN, Hans-Gerd; (DE)
Priority Data:
198 49 988.4 29.10.1998 DE
199 05 125.9 01.02.1999 DE
Title (DE) ELEKTRISCH LEITFÄHIGES UND OPTISCH TRANSPARENTES MATERIAL, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG DESSELBEN
(EN) ELECTRICALLY CONDUCTIVE AND OPTICALLY TRANSPARENT MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ITS USE
(FR) MATERIAU ELECTRO-CONDUCTEUR ET TRANSPARENT, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET SON UTILISATION
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein elektrisch leitfähiges und optisch transparentes Material aus einem oxidischen Halbleiter mit grosser Bandlücke beschrieben. Dieses Material besteht aus einem dreidimensionalen porösen Gitter, das bevorzugt aus miteinander verbundenen Partikeln mit Abmessungen von wenigerals 100 nm, vorteilhaft weniger als 20 nm gebildet ist. Zweckmässig besteht das Material aus einzelnen porösen Aggregaten aus miteinander verbundenen Partikeln, wobei die Aggregateabmessungen von weniger als 500 nm aufweisen sollten. Das Material wird aus jeweils in Übersättigung enthaltenen atomaren Gasphasen seiner Elemente in Form von miteinander verbundenen, ein poröses Gitter bildenden Partikeln kondensiert. Zur Bildung der Aggregate kann das Gitter durch entsprechende mechanische Bearbeitung zerkleinert werden.
(EN)The invention relates to an electrically conductive and optically transparent material consisting of an oxidic semiconductor with great band gap. Said material consists of a three-dimensional porous lattice which is preferably formed by interconnected particles with diameters of less than 100 nm, advantageously of less than 20 nm. For this purpose, the material consists of individual porous aggregates of interconnected particles which aggregates should have diameters of less than 500 nm. The material is condensed from the atomic gaseous phases of its elements which are contained in said gaseous phases in oversaturation in the form of interconnected particles forming a porous lattice. In order to obtain the aggregates, the lattice can be mechanically processed to reduce in size.
(FR)L'invention concerne un matériau électro-conducteur et transparent composé d'un semi-conducteur à oxyde doté de grandes largeurs de bandes interdites. Ce matériau est constitué d'une grille poreuse tridimensionnelle, qui est constituée de préférence de particules liées de dimensions inférieures à 100 nm, de préférence, à 20 nm. De façon utile, le matériau est composé de différents agrégats poreux composés de particules liées. Les dimensions des agrégats doivent être inférieures à 500 nm. Le matériau est condensé à partir des phases gazeuses de ses éléments qui sont contenus dans lesdites phases gazeuses en sursaturation sous forme de particules liées formant une grille poreuse. Pour obtenir les agrégats, la grille peut être réduite par un traitement mécanique correspondant.
Designated States: CA, IN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)