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1. (WO2000026683) MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026683    International Application No.:    PCT/EP1999/007499
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 05.10.1999
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: RUIGROK, Jacobus, J., M.; (NL)
Agent: SCHRIJNEMAEKERS, Hubert, J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
98203680.8 30.10.1998 EP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) CAPTEUR A CHAMP MAGNETIQUE MAGNETO-RESISTIF
Abstract: front page image
(EN)A magnetoresistive magnetic field sensor comprises a bilayer with a first soft magnetic layer and in direct contact therewith a second soft magnetic layer. The layers are exchange coupled to one another. The second soft magnetic layer is located below, on or in the first soft magnetic layer in a meandering, spiraling or such like structure. The electrical resistivity of the first soft magnetic layer is higher than that of the second soft magnetic layer, while the difference in electrical resistivity between both soft magnetic layers is at least a factor of 10, preferably a factor of 100. The magnetoresistive magnetic field sensor is applied in a magnetic read head device for a recording information system.
(FR)L'invention concerne un capteur à champ magnétique magnéto-résistif. Ce capteur comprend deux couches avec une première couche d'un matériau à aimantation temporaire, placée en contact direct avec une deuxième couche d'un matériau également à aimantation temporaire. Ces couches sont couplées l'une à l'autre. La deuxième couche d'un matériau à aimantation temporaire est placée en dessous, sur ou dans la première couche d'un matériau à aimantation temporaire, dans une structuren dent de scie ou en spirale. La résistivité électrique de la première couche susmentionnée est supérieure à celle de ladite deuxième couche, tandis que la différence de résistivité électrique entre les deux couches est inférieure ou égale à un facteur de 10, de préférence, à un facteur de 100. Le capteur à champ magnétique magnéto-résistif est appliqué dans un dispositif formant tête de lecture magnétique pour un système d'enregistrement d'informations.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)