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1. (WO2000026646) METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVED DEFECT DETECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026646    International Application No.:    PCT/US1999/025549
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 29.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    18.05.2000    
IPC:
G01N 21/94 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: HANSEN, Keith, John; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/183,096 29.10.1998 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVED DEFECT DETECTION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DETECTION AMELIOREE DES DEFAUTS
Abstract: front page image
(EN)A compact defect detection system is provided that comprises an optical pickup and a controller. As a surface of a semiconductor wafer is scanned by the defect detection system, the optical pickup generates a detector current signal that varies with the presence and the absence of defects on the surface of the semiconductor wafer. The controller monitors and interprets the generated detector current signal to affect defect detection. Because the wafer is scanned at a known rate, the size and the location of defects can be determined. Preferably defect-free wafers are scanned through the defect detection system to generate reference signals that may be used for comparison purposes with subsequently scanned production wafers. An array of optical pickups or a deflector may be employed to increase the portion of the semiconductor wafer scanned during defect detection.
(FR)Un système compact de détection des défauts comprend un dispositif de détection optique et un dispositif de commande. Lorsqu'une surface d'une tranche de semi-conducteur est balayée par le système de détection des défauts, le dispositif optique génère un signal de courant de détecteur qui varie avec la présence ou l'absence de défauts sur la surface de la tranche de semi-conducteur. Le dispositif de commande surveille et interprète le signal de courant de détecteur généré afin de modifier la détection des défauts. Etant donné que la tranche est balayée à une vitesse connue, la taille et la position des défauts peuvent être déterminées. De préférence les tranches dépourvues de défauts sont balayées par le système de détection des défauts en vue de générer des signaux de référence qui peuvent être utilisés à des fins de comparaison avec des tranches balayées ultérieurement. Un réseau de dispositifs optiques ou un déflecteur peut être utilisé pour augmenter la partie de la tranche de semi-conducteur balayée pendant la détection des défauts.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)