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1. (WO2000026430) SPUTTERING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026430    International Application No.:    PCT/JP1999/006042
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 29.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    24.03.2000    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ONO, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ONO, Masanori; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent and Law Firm Okura-Honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
10/310633 30.10.1998 JP
Title (EN) SPUTTERING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PULVERISATION
Abstract: front page image
(EN)A sputtering apparatus includes a plurality of ringlike targets arranged coaxially above a process chamber. A pedestal for holding a semiconductor substrate is provided in the processing chamber, and the pedestal and the targets are connected to a DC power supply. The process chamber is connected with a vacuum pump for evacuation and also with a gas supply that introduces gas, usually argon, for plasma generation. The potentials at the targets are independently controlled to adjust the sputtering rates on the targets, and the uniformity of deposition can be improved.
(FR)Appareil de pulvérisation qui comporte une pluralité de cibles annulaires disposées coaxialement au-dessus d'une chambre de traitement. Un socle destiné à porter un substrat semi-conducteur est placé dans la chambre de traitement, le socle et les cibles étant connectés à une alimentation en courant continu. La chambre de traitement est connectée à une pompe à vide en vue de la formation de vide, ainsi qu'à une alimentation en gaz, en général de l'argon, pour la production de plasma. Les potentiels au niveau des cibles sont indépendamment régulés pour régler l'intensité de pulvérisation sur les cibles, ce qui permet d'améliorer l'uniformité de la couche déposée.
Designated States: CN, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)