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1. (WO2000026000) METHOD AND DEVICE FOR SEPARATING INTO TWO SLICES A WAFER OF MATERIAL, IN PARTICULAR SEMICONDUCTOR MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/026000    International Application No.:    PCT/FR1999/002658
Publication Date: 11.05.2000 International Filing Date: 29.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    22.05.2000    
IPC:
B25B 11/00 (2006.01), B28D 1/32 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
LAMURE, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LISSALDE, François [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: LAMURE, Jean-Michel; (FR).
LISSALDE, François; (FR)
Agent: MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau 20, rue de Chazelles F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
98/13660 30.10.1998 FR
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR SEPARATING INTO TWO SLICES A WAFER OF MATERIAL, IN PARTICULAR SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR SEPARER EN DEUX TRANCHES UNE PLAQUE DE MATERIAU NOTAMMENT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for separating into two slices a semiconductor material wafer comprising steps which consist in: exerting on at least one of the slices a deformation stress capable of causing in one wafer (1) zone, the slices (2, 4) to be separated with respect to each other at a fragilization plane; and exerting on the slices (2, 4) a guided spacing movement. The invention also concerns a device (100) for implementing said method, comprising gripping means (30, 32) capable of exerting said deformation stress and said spacing. The device comprises guiding means (14) whereon is mounted the first gripping member (32), said guiding means being a single-piece linking member forming a deformable parallelogram.
(FR)L'invention concerne la séparation en deux tranches d'une plaque de matériau semiconductor ou similaires au moyen d'un procédé, qui comprend les étapes consistant à exercer sur au moins l'une des tranches une sollicitation de déformation apte à provoquer dans une zone de la plaque (1), une séparation des tranches (2, 4) l'une par rapport à l'autre au niveau d'un plan de fragilisation; et à exercer sur les tranches (2, 4) un mouvement d'écartement guidé. Le dispositif (100) pour la mise en oeuvre de ce procédé comprend des moyens de préhension (30, 32) aptes à exercer ladite sollicitation de déformation et ledit écartement. Le dispositif comprend un moyen de guidage (14) sur lequel le premier organe de préhension (32) est monté, ledit moyen de guidage étant un organe de liaison monobloc constituant un parallélogramme déformable.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)