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1. (WO2000025561) HEAT SINK ASSEMBLY WITH THREADED COLLAR AND MULTIPLE PRESSURE CAPABILLTY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025561    International Application No.:    PCT/US1999/023288
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 06.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    10.03.2000    
IPC:
H01L 23/367 (2006.01), H01L 23/40 (2006.01)
Applicants: CHIP COOLERS, INC. [US/US]; 333 Strawberry Field Road Warwick, RI 02886 (US)
Inventors: JOHNSON, Philip; (US)
Agent: JOSEPHS, David, R.; Barlow, Josephs & Holmes, Ltd. 5th floor 101 Dyer Street Providence, RI 02903 (US)
Priority Data:
09/179,044 26.10.1998 US
Title (EN) HEAT SINK ASSEMBLY WITH THREADED COLLAR AND MULTIPLE PRESSURE CAPABILLTY
(FR) ENSEMBLE PUITS DE CHALEUR DOTE D'UNE BAGUE FILETEE ET POUVANT EXERCER DES PRESSIONS MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)A heat dissipating device (100) which can provide multiple levels of pressure to a semiconductor package (118), having an outer peripheral ceramic region (132) and an inner silicon region (134) and installed in a socket (116), is provided. A clip member (146) is provided with a central female-threaded bore (142). A collar (152), having outer male threads (154) and inner female threads (156) is threadably receivable within the bore (142) of the clip member (146). The collar (152) is threaded down into the bore (142) to communicate with an upper surface of the ceramic portion (132) of a semiconductor package (118) at a first pressure which is high enough to maintain the package (118) in electrical communication with its socket (116). A heat dissipating member (120), having a male-threaded base (140), is threadably installed into the female-threaded bore (156) of the collar (152) to engage the upper surface of the silicon portion (134) of the semiconductor package (118). The pressure of the heat dissipating member (120) onto the silicon portion (134) of the package (118) is independently adjustable relative to the pressure of the collar (152) onto the ceramic portion (132) of the semiconductor package (118). As a result, the multiple pressure requirements of the semiconductor package (118) can be accommodated in a single heat dissipating device.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif dissipateur de chaleur (100) qui peut exercer plusieurs niveaux de pression sur un boîtier à semi-conducteur (118) comprenant une partie périphérique externe en céramique (132) et une partie interne en silicium (134) et monté sur un socle de connexion (116). Ce dispositif comprend également une pièce à pince (156) et une perforation centrale (142) munie d'un filetage femelle; une bague (152) dotée d'un filetage externe mâle (154) et d'un filetage interne femelle (156) et qui peut se visser dans la perforation (142) de la pièce à pince (146). Cette bague (152) est vissée dans ladite perforation (142) de façon à entrer en contact avec une surface supérieure de la partie en céramique (132) du boîtier à semi-conducteur (118) avec une première pression suffisamment forte pour maintenir le contact électrique entre le boîtier (118) et le socle de connexion (116). Une pièce de dissipation thermique (120), dotée à sa base (140) d'un filetage mâle, est vissée dans la perforation (156) à filetage femelle de la bague (152), en vue d'entrer en contact avec la surface supérieure de la partie en silicium (134) du boîtier à semi-conducteur (118). La pression de la pièce de dissipation thermique (120) sur la partie en silicium (134) du boîtier (118) est réglable indépendamment de la pression exercée par la bague (152) sur la partie en céramique du boîtier à semi-conducteur (118). Les pressions multiples nécessaires au boîtier à semi-conducteur (118) peuvent par conséquent être exercées par un seul dispositif de dissipation thermique.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)