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1. (WO2000025364) BIPOLAR HIGH-VOLT POWER COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025364    International Application No.:    PCT/DE1999/003404
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 25.10.1999
IPC:
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
WERNER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PFIRSCH, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WERNER, Wolfgang; (DE).
PFIRSCH, Frank; (DE)
Priority Data:
198 49 332.0 26.10.1998 DE
Title (DE) BIPOLARES HOCHVOLT-LEISTUNGSBAUELEMENT
(EN) BIPOLAR HIGH-VOLT POWER COMPONENT
(FR) COMPOSANT DE PUISSANCE BIPOLAIRE HAUTE TENSION
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein bipolares Hochvolt-Leistungsbauelement, insbesondere einen IGBT, mit einem Halbleiterkörper, auf dem wenigstens zwei voneinander beabstandete Elektroden (K, A) vorgesehen sind, zwischen denen eine Driftstrecke in einem Halbleitergebiet (1) eines ersten Leitungstyps ausgebildet ist. In dem Halbleitergebiet (1) befinden sich floatende Zonen (7) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, die beim Einschalten bzw. Ausschalten des Leistungsbauelements Ladungsträger des zweiten Leitungstyps in das Halbleitergebiet (1) abgeben bzw. von diesem aufnehmen und über jeweils einen MOS-Transistor (8) mit einem Kanal des zweiten Leitungstyps bzw. einen Bipolartransistor (9) mit einer Basis des ersten Leitungstyps an mit den beiden Elektroden (K, A) verbundene aktive Bereiche (3, 2) des Leistungsbauelements angeschlossen sind.
(EN)The invention relates to a bipolar high-volt power component, especially an IGBT, comprising a semiconductor body with two interspaced electrodes (K, A) arranged thereon and between which a drift line is configured in a first semiconductor area (1) having a first type of conductivity. Floating areas (7) having a second type of conductivity opposed to the first are arranged inside the semiconductor area (1), whereby said floating areas emit current carriers having a second type of conductivity into the semiconductor area (1) or receive them therefrom when the power component is switched on or off. Said floating areas are also connected to active areas (3, 2) of both electrodes (K, A) via an MOS transistor (8) with a channel that has a second type of conductivity or a bipolar transistor (9) with a base that corresponds to the first type of conductivity.
(FR)L'invention concerne un composant de puissance bipolaire haute tension, notamment un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT), comportant un corps semiconducteur sur lequel sont placées au moins deux électrodes (K, A) séparées les unes des autres, entre lesquelles est formé un parcours de migration dans une zone semiconductrice (1) présentent un premier type de conduction. Dans ladite zone semiconductrice (1) se trouvent des zones flottantes (7) qui présentent un deuxième type de conduction, opposé au premier type de conduction, cèdent ou absorbent des porteurs de charge du deuxième type de conduction, dans la zone semiconductrice (1), lors de la mise en circuit ou hors circuit du composant de puissance, et sont raccordées aux zones actives (3, 2) du composant de puissance, elles-mêmes raccordées aux deux électrodes (K, A), par l'intermédiaire respectivement d'un transistor MOS (9) comportant un canal du deuxième type de conduction et par l'intermédiaire d'un transistor bipolaire (9) comportant une base du premier type de conduction.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)