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1. (WO2000025361) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025361    International Application No.:    PCT/JP1999/005915
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 26.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    25.05.2000    
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIZUKA, Shuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ISHIZUKA, Shuichi; (JP)
Agent: SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Building 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
10/321288 26.10.1998 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SA FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device including inner insulating layers (21, 22, 23) of fluorine-containing carbon film (CF film) is formed by using hard masks (31, 32, 33) of boron nitride film (BN film) so as to reduce the overall capacitance between conductors. After the first CF film (21) as an inner insulating layer is deposited, a hard mask (31) consisting of BN film is deposited on the CF film (21), and the hard mask (31) is etched to form a predetermined groove pattern. The CF film (21) is then etched using the hard mask (31) as a mask to form the grooves for an interconnect layer (51), and the grooves are filled with Cu. Since the semiconductor device thus produced uses low-dielectric-constant CF and BN layers, the overall dielectric constant of the device decreases, resulting in decreased capacitance between conductors as a whole.
(FR)L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur comprenant des couches d'isolation (21, 22, 23) constituées d'un film de carbone contenant du fluor (film CF). Ce dispositif est formé au moyen de masques durs (31, 32, 33) constitués d'un film de nitrure de bore (film BN), cela de façon que la capacité totale entre les conducteurs soit réduite. Après dépôt du premier film CF (21) constituant une couche isolante intérieure, un masque dur (31), constitué du film BN, est déposé sur le film CF (21) puis soumis à une attaque pour former un motif à rainures prédéterminé. Le film CF (21) est ensuite soumis à une attaque, le masque dur (31) étant alors utilisé pour former les rainures destinées à une couche d'interconnexion (51), lesquelles sont remplies avec du Cu. Etant donné que le dispositif à semi-conducteur ainsi obtenu comprend des couches CF et BN à faible constante diélectrique, la constante diélectrique totale du dispositif décroît, ce qui entraîne globalement une réduction de la capacité entre les conducteurs.
Designated States: IL, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)