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1. (WO2000025356) METHOD FOR PRODUCING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A STOP ZONE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025356    International Application No.:    PCT/EP1999/007851
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 15.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    16.05.2000    
IPC:
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/745 (2006.01), H01L 29/749 (2006.01)
Applicants: EUPEC, EUROP. GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5 D-59581 Warstein-Belecke (DE) (For All Designated States Except US).
SCHULZE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BARTHELMESS, Reiner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHULZE, Hans-Joachim; (DE).
BARTHELMESS, Reiner; (DE)
Agent: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; P.O. Box 22 14 43 80504 München (DE)
Priority Data:
198 48 985.4 23.10.1998 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEISTUNGSHALBLEITERS MIT EINER STOPPZONE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A STOP ZONE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE D'ARRET
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Leistungshalbleiters mit einer Stoppzone. Es wird vorgeschlagen, diese Stoppzone durch Eintreiben von Sauerstoff und anschließende Erwärmung zur Bildung thermischer Donatoren mit dem Sauerstoff zu erzeugen.
(EN)The invention relates to a method for producing a silicon power semiconductor device with a stop zone. According to the invention, this stop zone is produced by introducing oxygen and subsequently heating in order to form thermal donors with the oxygen.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un semiconducteur au silicium comportant une zone d'arrêt. Selon l'invention, cette zone d'arrêt est produite par introduction d'oxygène dans le substrat puis réchauffement de ce dernier avec l'oxygène, afin de former des donneurs thermiques.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)