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1. (WO2000025354) POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM FORMING METHOD AND THIN FILM FORMING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025354    International Application No.:    PCT/JP1999/005762
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 18.10.1999
IPC:
C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho Ukyo-ku Kyoto-shi Kyoto 615-8686 (JP) (For All Designated States Except US).
EBE, Akinori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KURATANI, Naoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI, Eiji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: EBE, Akinori; (JP).
KURATANI, Naoto; (JP).
TAKAHASHI, Eiji; (JP)
Agent: TANIGAWA, Masao; Tanigawa Patent Office Minamimorimachi Park Building 1-3, Nishitenma 5-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0047 (JP)
Priority Data:
10/302986 23.10.1998 JP
11/227388 11.08.1999 JP
Title (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM FORMING METHOD AND THIN FILM FORMING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET APPAREIL DE FORMATION DE LADITE COUCHE MINCE
Abstract: front page image
(EN)A polycrystalline silicon thin film forming method and thin film forming apparatus for forming a polycrystalline silicon thin film at relatively low temperature at low cost with high productivity. Specifically, a polycrystalline thin film forming method and thin film forming apparatus in which the plasma state is so controlled that the ratio of the intensity of emission of SiH* radicals in the plasma to that of hydrogen atom radicals (H$g(b)) may be one or more. The thin film forming apparatus comprises a film forming chamber where a film forming object wafer is placed, a discharge electrode connected to a discharge power supply and adapted to produce a plasma, a gas feed device for feeding a gas, and an evacuating device, and is used for forming a thin film by plasma CVD. The film forming apparatus further comprises an emission spectrometer, probe measuring device, and a control unit for controlling at least one of power supply, gas feed, and evacuation so that the plasma may be maintained in a predetermined state according to information collected by the emission spectrometer and probe measuring device.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de couche mince de silicium polycristallin, et un appareil de formation de ladite couche mince à une température relativement basse, à faible coût et à rendement élevé, et plus particulièrement un procédé et un appareil dans lesquels l'état de plasma est contrôlé, de sorte que le rapport de l'intensité de l'émission de radicaux SiH* dans ledit plasma à celle des radicaux (H$g(b)) d'atome d'oxygène peut être d'un ou plus. L'appareil de formation de couche mince comprend une chambre de formation de film renfermant une plaquette d'objet de formation de film, une électrode de décharge reliée à une alimentation électrique de décharge conçue pour former un plasma, un dispositif d'alimentation de gaz, et un dispositif d'évacuation, ledit appareil étant utilisé pour former un plasma CVD. L'appareil comprend également un spectromètre d'émission, un dispositif de mesure de sonde, et une unité de commande destinée à commander au moins l'alimentation en électricité, l'alimentation en gaz, et son évacuation, de sorte que le plasma peut être maintenu dans un état prédéterminé en fonction des informations collectées par le spectromètre d'émission et le dispositif de sonde.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)